[发明专利]一种非易失性存储器的擦除方法和装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体存储器技术领域，特别是涉及一种非易失性存储器的擦除方法，以及，一种非易失性存储器的擦除装置。

背景技术

随着各种电子装置及嵌入式系统的迅速发展和广泛应用，如计算机、个人数字助理、移动电话、数字相机等，大量需要一种能多次编程，容量大，读写、擦除快捷、方便、简单，外围器件少，价格低廉的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器件。非易失性存储器件就是在这种背景需求下应运而生的。

针对非易失存储器的一般设计而言，只能以整片、整块(block)或扇区(sector)的形式删除，而不能被单字节删除。

以闪存(Flash Memory)为例，它是一种基于半导体的存储器，具有系统掉电后仍可保留内部信息、在线擦写等功能特点，闪存通过热电子注入机制实现对器件编程，采用隧道效应实现擦除。

在对非易失存储器进行擦除时，若某个sector由于擦除次数过多，导致该sector擦除时间变长，在对该sector所在的block进行擦除时，block擦除时间也会变长，最终将导致该block中其他sector由于长时间擦除而产生过擦除的情况，用户体验不佳。

因此，本领域技术人员迫切需要解决的问题之一在于，提出了一种非易失性存储器的擦除机制，用以极大地降低过擦除风险，提高存储器的擦除准确性。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供涉及一种非易失性存储器的擦除方法，以及，一种非易失性存储器的擦除装置，用以减少目标擦除块的进行擦除时间，减少过擦除的目标擦除扇区。

为了解决上述问题，本发明公开了一种非易失性存储器擦除的方法，包括：

对目标擦除块进行预编程操作；所述目标擦除块中包括多个目标擦除扇区；

针对所述经预编程操作的多个目标擦除扇区施加擦除脉冲进行擦除；

针对所述经过擦除的多个目标擦除扇区进行擦除校验；

若存在所述擦除校验失败的目标擦除扇区，则针对所述擦除校验失败的目标擦除扇区施加擦除脉冲继续擦除，直至所述目标擦除块中的所有目标擦除扇区擦除校验成功为止；

针对擦除校验成功的目标擦除扇区进行过擦除纠正。

优选地，在所述针对经擦除的多个目标擦除扇区进行擦除校验的步骤之后，还包括：

针对擦除校验成功的目标擦除扇区分配擦除成功标识；

针对擦除校验失败的目标擦除扇区分配擦除失败标识。

优选地，所述若存在擦除校验失败的目标擦除扇区，则针对所述擦除校验失败的目标擦除扇区施加擦除脉冲继续擦除，直至所述目标擦除块中的所有目标擦除扇区擦除校验成功为止的步骤包括：

子步骤S1，判断是否存在擦除失败标识的目标擦除扇区，若是，则执行子步骤S2，若否，则执行子步骤S4；

子步骤S2，针对所述具有擦除失败标识的目标擦除扇区施加擦除脉冲继续擦除；

子步骤S3，针对所述经继续擦除的目标擦除扇区进行擦除校验，并针对擦除校验成功的目标擦除扇区分配擦除成功标识，针对擦除校验失败的目标擦除扇区分配擦除失败标识，然后返回子步骤S1；

子步骤S4，停止施加擦除脉冲，结束当前目标擦除块的擦除。

优选地，所述的方法还包括：

当施加擦除脉冲的次数达到最大预设擦除次数时，停止施加擦除脉冲，结束当前目标擦除块的擦除。

优选地，所述针对经擦除的多个目标擦除扇区进行擦除校验的步骤包括：

对所述目标擦除扇区中存储单元施加校验电压并生成阈值电压；

判断所述阈值电压是否高于预设参考电压；

若是，则判定针对所述目标擦除扇区的擦除校验成功；

若否，则判定针对所述目标擦除扇区的擦除校验失败。

本发明还提供了一种非易失性存储器擦除的装置，包括：

预编程模块，用于对目标擦除块进行预编程操作；所述目标擦除块中包括多个目标擦除扇区；

擦除模块，用于针对所述经预编程操作的多个目标擦除扇区施加擦除脉冲进行擦除；

擦除校验模块，用于针对所述经过擦除的多个目标擦除扇区进行擦除校验；

擦除判断模块，用于若存在所述擦除校验失败的目标擦除扇区，则针对所述擦除校验失败的目标擦除扇区施加擦除脉冲继续擦除，直至所述目标擦除块中的所有目标擦除扇区擦除校验成功为止；

过擦除纠正模块，用于针对擦除校验成功的目标擦除扇区进行过擦除纠正。

优选地，在所述擦除校验模块之后，还包括：