[发明专利]一种复合精炼剂去除冶金级硅中杂质硼的方法有效

专利信息
申请号: 201310059197.1 申请日: 2013-02-26
公开(公告)号: CN103058201A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 伍继君;马文会;贾斌杰;谢克强;魏奎先;周阳;杨斌;刘大春;戴永年 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 复合 精炼 去除 冶金 级硅中 杂质 方法
【权利要求书】:

1.一种复合精炼剂去除冶金级硅中杂质硼的方法,其特征在于经过下列各步骤:

(1)将硼含量为10~30ppmw的块状冶金级硅破碎至粒度为150~200目的粉末,再将精炼剂与冶金级硅粉按1:1~3:1的比例充分均匀,并将混合后的物料压成圆柱片状;

(2)将步骤(1)所得圆柱片状通入流量为10~20L/min的氩气保护,并采用50℃/min升温到1420~1650℃后,保温0.5~4h后,再以20℃/min降温至室温,然后关闭氩气,取出样品;

(3)去除头尾杂质富集部分,即得到去除杂质硼的硅。

2.根据权利要求1所述的复合精炼剂去除冶金级硅中杂质硼的方法,其特征在于:所述步骤(1)的精炼剂是质量含量35%~75%的FeCl2与65%~25%的SiO2的混合物。

3.根据权利要求1所述的复合精炼剂去除冶金级硅中杂质硼的方法,其特征在于:所述步骤(1)压成圆柱片状的压力为15MPa。

4.根据权利要求1所述的复合精炼剂去除冶金级硅中杂质硼的方法,其特征在于:所述步骤(3)的去除头尾杂质富集部分是将样品头尾各切去样品长度的1/10。

5.根据权利要求2所述的复合精炼剂去除冶金级硅中杂质硼的方法,其特征在于:所述SiO2和FeCl2为分析纯无水粉末,其纯度为99.8%以上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明理工大学,未经昆明理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310059197.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top