[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法无效
申请号: | 201310059582.6 | 申请日: | 2013-02-26 |
公开(公告)号: | CN104009178A | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平;黄辉 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括依次层叠的光取出层、玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,所述光取出层包括聚合物层和散射层,所述聚合物层的材质包括聚3,4-二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸盐,所述散射层的材质为折射率大于2.0的金属氧化物按照质量分数10~50%掺杂到硅氧化物中形成的混合物。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述聚3,4-二氧乙烯噻吩和所述聚苯磺酸盐的重量比为2:1~6:1。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述折射率大于2.0的金属氧化物对光的透过率大于70%。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述折射率大于2.0的金属氧化物为二氧化铪、五氧化二铌或五氧化二钽。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述硅氧化物为二氧化硅或一氧化硅。
6.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述玻璃基底为折射率高于1.8的光学玻璃,所述光学玻璃对波长为400~700nm的可见光的透过率大于90%。
7.一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供清洁的玻璃基底;
在所述玻璃基底的一面制备光取出层,所述光取出层包括聚合物层和散射层:
所述聚合物层的制备步骤为,将聚3,4-二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸盐水溶液旋涂在所述玻璃基底表面上,然后在50~200℃条件下烘干10~30min;所述聚3,4-二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸盐水溶液中聚3,4-二氧乙烯噻吩的质量分数为1%~5%,所述聚3,4-二氧乙烯噻吩与所述聚苯磺酸盐的重量比为2:1~6:1;
所述散射层的制备步骤为,将折射率大于2.0的金属氧化物按照质量分数10~50%掺杂到硅氧化物中形成的混合物通过电子束蒸镀到所述聚合物层表面;
再在所述玻璃基底另一面磁控溅射制备阳极,所述磁控溅射的条件为加速电压300~800V,磁场50~200G,功率密度1~40W/cm2;
在阳极上依次热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层,所述热阻蒸镀条件为压强5×10-5~2×10-3Pa,速度0.1~1nm/s;
在所述电子注入层上热阻蒸镀制备阴极,所述热阻蒸镀条件为压强5×10-5~2×10-3Pa,速度1~10nm/s。
8.如权利要求7所述的一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述旋涂条件为转速2000~6000rpm,时间10~30s。
9.如权利要求7所述的一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述折射率大于2.0的金属氧化物为二氧化铪、五氧化二铌或五氧化二钽。
10.如权利要求7所述的一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述硅氧化物为二氧化硅或一氧化硅。
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