[发明专利]能够挽救封装后出现的缺陷特性的半导体器件

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

包括多个存储单元的存储单元阵列；及

包括至少一个反熔丝的反熔丝电路单元，在所述至少一个反熔丝中存储存储单元阵列的缺陷单元地址，并向外部源输出该缺陷单元地址。

2.如权利要求1所述的存储器件，其中反熔丝电路单元存储当测试该存储器件时出现的缺陷单元地址。

3.如权利要求1所述的存储器件，其中反熔丝电路单元存储在封装该存储器件之后出现的缺陷单元地址。

4.如权利要求1所述的存储器件，其中反熔丝电路单元存储并更新该缺陷单元地址。

5.如权利要求1所述的存储器件，其中反熔丝电路单元响应于指示稳定了该存储器件的功率的上电检测信号，输出所述缺陷单元地址。

6.如权利要求1所述的存储器件，其中该存储器件通过使用用于刷新存储单元阵列中多个存储单元的多片数据的刷新命令，命令反熔丝电路单元的读模式或编程模式的开始。

7.如权利要求1所述的存储器件，其中该存储器件通过使用用于结束存储单元阵列中多个存储单元的刷新操作的刷新命令，命令反熔丝电路单元的读模式或编程模式的结束。

8.如权利要求1所述的存储器件，进一步包括：选择单元，接收从存储单元阵列读取的多个存储单元的每个的数据，和从反熔丝电路单元读取的缺陷单元地址，选择所述多个存储单元的每个的数据或缺陷单元地址，然后通过使用至少一个数据输入/输出（I/O）信号，输出所述数据或缺陷单元地址。

9.如权利要求1所述的存储器件，其中该存储器件包括通孔和连接至该通孔的微凸点。

10.一种存储器件，包括：

模式寄存器解码器，接收地址信号和该存储器件的编程操作模式；及

包括至少一个反熔丝的反熔丝电路单元，根据该存储器件的操作模式将缺陷特性码编程到所述至少一个反熔丝，并向外部源输出该缺陷特性码。

11.如权利要求10所述的存储器件，其中反熔丝电路单元存储与该存储器件的时间参数配置、刷新配置、输入/输出（I/O）触发电压配置和数据训练配置的至少一者有关的缺陷特性码。

12.如权利要求10所述的存储器件，进一步包括：地址解码器，解码所述地址信号，并且对应于经解码的地址信号将缺陷特性码编程到所述至少一个反熔丝。

13.一种存储模块，包括：

至少一个存储器件；及

包括存储单元的存储缓冲器，当请求对于所述至少一个存储器件中的缺陷单元的存取时，存取所述存储单元而不是缺陷单元，

其中所述至少一个存储器件包括：包括至少一个反熔丝的反熔丝电路单元，在所述至少一个反熔丝中存储存储单元阵列的缺陷单元的地址，并向存储缓冲器输出该缺陷单元的地址。

14.如权利要求13所述的存储模块，其中存储缓冲器包括：

逻辑电路单元，存储缺陷单元的地址，并通过比较该缺陷单元的地址和从外部源输入的地址而生成击中信号；

存储单元，存储要写到缺陷单元的地址的数据；及

选择单元，响应于所述击中信号，将数据写到存储单元或从存储单元读数据。

15.如权利要求13所述的存储模块，其中所述存储单元仅包括一个寄存器，以便挽救该存储模块中的仅仅一个缺陷单元。

16.如权利要求13所述的存储模块，其中存储单元包括多个寄存器，以便挽救该存储模块中的多个缺陷单元。

17.一种存储系统，包括：

至少一个存储器件；及

包括存储单元的存储控制器，当请求对所述至少一个存储器件中的缺陷单元的存取时，存取所述存储单元而不是缺陷单元，

其中所述至少一个存储器件包括：包括至少一个反熔丝的反熔丝电路单元，在所述至少一个反熔丝中存储存储单元阵列的缺陷单元的地址，并向存储控制器输出该缺陷单元的地址。