[发明专利]能够挽救封装后出现的缺陷特性的半导体器件

说明书

技术领域

本发明构思涉及半导体器件，并且更具体地，涉及一种能够补偿封装之后出现的缺陷特性的存储器件、包括该存储器件的存储模块及包括该存储模块的存储系统。

背景技术

许多制造商制造存储模块。这些制造商通过降低存储模块的价格来保持竞争性，但是他们可能面对低利润率。虽然生产的总收益率相对高，但是在装在存储模块中的存储芯片中可能出现缺陷。这些存储芯片由测试被过滤为合格品。在这点上，从该存储模块移除有缺陷的存储芯片并在该存储模块中再安装另一存储芯片的重复操作通常昂贵而费时，从而增加了制造成本。从而，存在对一种不执行该存储模块上的重复操作而挽救有缺陷的存储芯片的方法的需求。

发明内容

根据本发明构思的一方面，提供了一种存储器件，包括：包括多个存储单元的存储单元阵列；及包括至少一个反熔丝的反熔丝电路单元，在所述至少一个反熔丝中存储了所述存储单元阵列的缺陷单元地址，并向外部源输出该缺陷单元地址。

反熔丝电路单元可以存储在测试该存储器件时出现的缺陷单元地址。

反熔丝电路单元可以存储在封装存储器件之后出现的缺陷单元地址。

反熔丝电路单元可以存储并可以更新该缺陷单元地址。

反熔丝电路单元响应于指示稳定了存储器件的功率的上电检测信号，可以读取所述缺陷单元地址。

该存储器件通过使用用于刷新存储单元阵列中多个存储单元的多片数据的刷新命令，可以命令反熔丝电路单元的读模式或编程模式的开始。

该存储器件通过使用用于结束存储单元阵列中多个存储单元的刷新操作的刷新命令，可以命令反熔丝电路单元的读模式或编程模式的结束。

该存储器件可以进一步包括选择单元，该选择单元接收从存储单元阵列读取的多个存储单元的每个的数据，和从反熔丝电路单元读取的缺陷单元地址；选择所述多个存储单元的每个的数据或缺陷单元地址；然后通过使用至少一个数据输入/输出（I/O）信号输出所述数据或缺陷单元地址。

该存储器件可以包括通孔和连接至该通孔的微凸点。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种存储器件，包括：模式寄存器解码器，接收地址信号和该存储器件的编程操作模式；及包括至少一个反熔丝的反熔丝电路单元。该反熔丝电路单元将根据该存储器件的编程操作的缺陷特性码编程到所述至少一个反熔丝，并向外部源输出该缺陷特性码。

该反熔丝电路单元可以存储与该存储器件的时间参数配置、刷新配置、输入/输出（I/O）触发电压配置和数据训练配置的至少一者有关的缺陷特性码。

该存储器件可以进一步包括地址解码器，解码所述地址信号，并将所述缺陷特性码编程到与经解码的地址信号对应的至少一个反熔丝。

反熔丝电路单元可以编程并可以更新所述缺陷特性码。

反熔丝电路单元响应于指示稳定了存储器件的功率的上电检测信号，可以读取所述缺陷特性码。

该存储器件可以进一步包括选择单元，该选择单元接收从该存储器件的存储单元阵列读出的存储单元的数据，和从反熔丝电路单元读出的缺陷特性码；响应于模式寄存器解码器中生成的选择信号，选择所述存储单元的数据或缺陷特性码；然后通过使用数据输入/输出（I/O）信号输出所述数据或缺陷特性码。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种包括至少一个存储器件和存储缓冲器的存储模块，所述存储缓冲器包括存储单元，当请求对所述至少一个存储器件中的缺陷单元存取时，存取所述存储单元而不是缺陷单元，其中至少一个存储器件包括反熔丝电路单元，该反熔丝电路单元包括至少一个反熔丝，其在所述至少一个反熔丝中存储存储单元阵列的缺陷单元的地址，并将该缺陷单元的地址读到存储缓冲器。

存储缓冲器可以包括逻辑电路单元，存储缺陷单元的地址，并通过比较该缺陷单元的地址和从外部源输入的地址而生成击中信号。存储单元存储打算写到缺陷单元的地址的数据，并且选择单元响应于该击中信号将数据写到存储单元或从该存储单元读数据。

存储单元可以仅包括一个寄存器，以便挽救存储模块中的仅仅一个缺陷单元。

存储单元可以包括多个寄存器，以便挽救该存储模块中的多个缺陷单元。