[发明专利]液浸构件、液浸构件的制造方法、曝光装置、及元件制造方法

说明书

本申请是申请日为2010年12月21日，申请号为201080056237.1，发明名称为“液浸构件、液浸构件的制造方法、曝光装置、及元件制造方法”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明是关于液浸构件、液浸构件的制造方法、曝光装置、及元件制造方法。

背景技术

在微影工艺使用的曝光装置中，已知有例如下述专利文献揭示的经由液体以曝光用光使基板曝光的液浸曝光装置。

[现有技术文献]

[专利文献1]美国发明专利申请公开第2008／266533号

[专利文献2]美国发明专利申请公开第2005／018155号

发明内容

液浸曝光装置中，在基板等物体上形成有液浸区域的状态下，基板表面上的光阻或顶涂膜所含的成分有时会溶出至液体(例如纯水)。因此，有溶出至液体(纯水)中的光阻或顶涂膜成分再析出至形成液浸区域的构件表面，此析出物因液流(水流)剥离而附着于基板的可能性。在使附着有析出物的基板曝光后，例如有可能产生形成于基板的图案有缺陷产生等曝光不良，而产生不良元件。进而，有时亦有混入液体的异物附着于形成液浸区域的构件，在此附着的异物再度混入液体的状态下使基板曝光的情形。

因此，虽产生定期洗净形成液浸区域的构件以除去表面的析出物的必要，但若洗净的频度、时间增加则有生产性降低的可能性。

本发明的态样，其目的在于提供能抑制曝光不良的产生及生产性的降低的液浸构件、液浸构件的制造方法及曝光装置。又，另一目的在于，提供能抑制不良元件的产生及生产性的降低的元件制造方法。

根据本发明的第1态样，提供一种液浸构件，是以液体充满照射于物体的曝光用光的光路的方式在与前述物体之间保持前述液体以形成液浸空间，其特征在于：在与前述液体接触的区域的至少一部分形成有非晶碳膜。

根据本发明的第2态样，提供一种液浸构件的制造方法，该液浸构件是以液体充满照射于物体的曝光用光的光路的方式在与前述物体之间保持前述液体以形成液浸空间，其特征在于：于前述液浸构件与前述液体接触的区域的至少一部分上，藉由CVD法(化学气相沉积法)或PVD法(物理气相沉积法)形成非晶碳膜。

根据本发明的第3态样，提供一种曝光装置，是经由液体以曝光用光使基板曝光，其特征在于，具备：第1态样的液浸构件。

根据本发明的第4态样，提供一种元件制造方法，包含：使用上述态样的曝光装置使基板曝光的步骤；以及使已曝光的前述基板显影的步骤。

根据本发明的态样，能提供能抑制曝光不良的产生及生产性的降低的液浸构件、液浸构件的制造方法及曝光装置。又，根据本发明的态样，能提供能抑制不良元件的产生及生产性的降低的元件制造方法。

附图说明

图1是显示曝光装置的概略构成图。

图2是显示液浸构件附近的侧剖面图。

图3A是显示FCVA成膜装置一例的概略构成图。

图3B是用以说明液浸构件的制造方法之图。

图3C是用以说明液浸构件的制造方法之图。

图4A是用以说明多孔构件一例之图。

图4B是用以说明多孔构件一例之图。

图4C是用以说明多孔构件一例之图。

图5是显示液浸构件附近的侧剖面图。

图6是显示液浸构件附近的侧剖面图。

图7是显示液浸构件附近的侧剖面图。

图8是显示微形元件工艺的一例的流程图。

图9A是显示于实施例成膜的ta－C膜的膜厚分布的图表。

图9B是显示于实施例成膜的ta－C膜的膜厚分布的图表。

具体实施方式

以下，参照图式说明本发明的实施形态，但本发明不限定于此。此外，以下的说明中，是设定XYZ正交座标系，并参照此XYZ正交座标系说明各构件的位置关系。接着，将水平面内的既定方向设为X轴方向、将于水平面内与X轴方向正交的方向设为Y轴方向、将与X轴方向及Y轴方向分别正交的方向(亦即铅直方向)设为Z轴方向。此外，并将绕X轴、Y轴及Z轴的旋转(倾斜)方向分别设为θX、θY及θZ方向。

＜第1实施形态＞