[发明专利]等离子体边界限制器单元和用于处理基板的设备

权利要求书

1.一种用于处理基板的设备，该设备包括：

处理室，其具有开口，基板通过该开口被加载或卸载，该处理室包括用于打开或关闭开口的门组件；

支撑单元，其被设置在处理室内以支撑基板；

气体供应单元，其用于向处理室中供应处理气体；

等离子体生成单元，其用于从处理气体生成等离子体；以及

等离子体边界限制器单元，其被设置在处理室内以围绕在支撑单元上面限定的排放空间，该等离子体边界限制器单元使从排放空间泄漏的等离子体最小化，

其中所述等离子体边界限制器单元包括沿着排放空间的圆周设置的多个板；以及

所述多个板沿着排放空间的圆周被相互间隔开，使得排放空间内的气体通过在相邻板之间提供的通道而流到排放空间外面。

2.根据权利要求1的设备，其中所述等离子体边界限制器单元还包括用于将所述多个板相互耦接的耦接构件。

3.根据权利要求2的设备，其中所述耦接构件被提供为环状体。

4.根据权利要求3的设备，其中所述环状体被设置在板的上端上。

5.根据权利要求3或4的设备，其中所述环状体包括：

第一主体；以及

第二主体，其可在处理室内相对于第一主体竖直地移动，

其中所述第一主体和第二主体被相互组合而形成环形状。

6.根据权利要求5的设备，其中所述第二主体被耦接到门组件以与门组件一起竖直地移动。

7.根据权利要求5的设备，还包括用于竖直地驱动第二主体的主体驱动器。

8.根据权利要求1至4中的任一项的设备，其中所述板在其之间具有相同的距离。

9.根据权利要求1至4中的任一项的设备，其中所述板沿竖直方向具有不同的厚度，使得通道沿着竖直方向具有不同的宽度。

10.根据权利要求9的设备，其中所述通道中的每一个的下宽度小于其上宽度。

11.根据权利要求3或4的设备，其中所述第一主体和所述第二主体被相互组合以形成圆环形状，并且

平行于每个板的环状体的半径方向的侧边的长度比垂直于环状体的半径方向的侧边的长度更长。

12.根据权利要求3或4的设备，其中所述第一主体和所述第二主体被相互组合以形成圆环形状，并且

所述板在其长度方向上具有相同的宽度，使得沿着环状体的半径方向设置的板之间的距离朝着排放空间的外面逐渐地加宽。

13.根据权利要求3或4的设备，其中所述第一主体和所述第二主体被相互组合以形成圆环形状，并且

每个板具有沿着其长度方向朝着排放空间的外面逐渐地增加的宽度，使得沿着环状体的半径方向设置的板在其之间具有相同的距离。

14.根据权利要求3或4的设备，其中沿着环状体的长度方向设置的板在其之间具有不同的距离。

15.根据权利要求1至4中的任一项的设备，其中板的下端被邻近于支撑单元的上端设置。

16.根据权利要求1至4中的任一项的设备，其中板的下端被设置在支撑单元的上端下面。

17.根据权利要求1至4中的任一项的设备，其中每个板沿着远离排放空间的方向弯曲。

18.根据权利要求1至4中的任一项的设备，其中每个板竖直地弯曲。

19.根据权利要求2或3的设备，其中所述耦接构件被耦接到门组件以与门组件一起竖直地移动。

20.根据权利要求19的设备，其中门组件包括：

外门，其设置在处理室外面；

内门，其设置在处理室内部而面对外门，所述内门被耦接到耦接构件；以及

连接板，其将外门连接到内门，

其中所述外门被门驱动器竖直地驱动。

21.根据权利要求1至4中的任一项的设备，其中等离子体边界限制器单元由导电材料形成，并且

等离子体边界限制器单元与上电极接触，使得等离子体边界限制器单元被电连接至上电极。