[发明专利]等离子体边界限制器单元和用于处理基板的设备

说明书

技术领域

本文公开的本发明涉及一种用于处理基板的设备，并且更特别地，涉及一种通过使用等离子体和在其中使用的等离子体边界限制器单元来处理基板的设备。

背景技术

一般地，可以将半导体制造过程分成多种过程，诸如沉积过程、光刻过程、蚀刻过程、抛光过程以及清洁过程。在这些过程之间，沉积过程或蚀刻过程通过使用等离子体来处理基板。使用等离子体的基板处理设备的一部分可以包括限制等离子体的限制环，以使得处理室内的等离子体在该过程期间保持在晶片的竖直上部空间中。

一般地，将限制环设置成围绕基板的竖直上部空间。并且，限制环包括具有圆环形状的集成主体。可以提供多个该限制环。在这里，所述多个限制环相互垂直地间隔开。限制环之间的距离是相对窄的以防止等离子体在其之间泄漏。然而，在使用具有上述结构的限制环的情况下，等离子体泄漏预防效果并不高。并且，当使用具有上述结构的限制环时，可能难以控制限制环的内区域中的每个区域的等离子体密度。

并且，限制环在基板被加载到处理室中或从处理室卸载时与基板的移动路径相干扰。因此，限制环移动至备用位置，在该备用位置处，限制环在基板被环驱动器加载到处理室中或从处理室卸载时不与基板的移动路径相干扰。因此，由于限制环在用于对基板进行加载或卸载的开口被打开之前或之后移动到备用位置，所以需要许多过程。并且，由于提供了用于移动限制环的环驱动器，所以设备在结构方面可能是复杂的。并且，由于环驱动器竖直地移动所有限制环，所以大的负荷可能被施加到环驱动器。

发明内容

本发明提供了具有能够防止等离子体泄漏新型结构的等离子体边界限制器单元和包括该等离子体边界限制器单元的基板处理设备。

本发明还提供了能够控制用于基板上的每个区域的等离子体密度的等离子体边界限制器单元和包括该等离子体边界限制器单元的基板处理设备。

本发明还提供了能够减少在基板被加载到处理室中或从处理室卸载时所需的过程的数目的基板处理设备。

本发明还提供了能够减少在基板被加载到处理室中或从处理室卸载时所需的时间的基板处理设备。

本发明还提供了能够减少被用于移动限制环的零件的数目的基板处理设备。

本发明还提供了能够减少在限制环沿着竖直方向移动时施加的负荷的基板处理设备和方法。

本发明的特征不限于上述，相反，根据以下描述，本领域的技术人员将清楚地理解在本文中未描述的其他特征。

本发明的实施例提供了用于处理基板的设备，该设备包括：处理室，其具有开口，基板通过该开口被加载或卸载，该处理室包括用于打开或关闭开口的门组件；支撑单元，其被设置在处理室内以支撑基板；气体供应单元，其用于向处理室中供应处理气体；等离子体生成单元，其用于从处理气体生成等离子体；以及等离子体边界限制器单元，其被设置在处理室内以围绕在支撑单元上面限定的排放空间，该等离子体边界限制器单元使等离子体从排放空间的泄漏最小化，其中，等离子体边界限制器单元包括沿着排放空间的圆周设置的多个板，并且所述多个板沿着排放空间的圆周相互隔开，使得排放空间内的气体通过在相邻板之间提供的通道而流到排放空间外面。

在某些实施例中，所述等离子体边界限制器单元还可以包括用于将所述多个板相互耦接的耦接构件。可以将所述耦接构件提供为环状体。可以将该环状体设置在板的上端上。

在其他实施例中，环状体可以包括：第一主体；以及第二主体，其可在处理室内相对于第一主体竖直地移动，其中，可以将所述第一主体和所述第二主体相互组合以形成环状。

在其他实施例中，可以将第二主体耦接到门组件以与门组件一起竖直地移动。

在其他实施例中，所述设备还可以包括用于竖直地驱动第二主体的主体驱动器。

在其他实施例中，所述板可以在其之间具有相同距离。

在其他实施例中，所述板可以沿着竖直方向具有不同的厚度，使得所述通道沿着竖直方向具有不同的宽度。例如，每个通道可以具有小于其上宽度的下宽度。

在其他实施例中，可以将第一主体和第二主体相互组合以形成圆环形状，并且与每个板的环状体的半径方向平行的边的长度可以长于与环状体的半径方向垂直的边的长度。

在其他实施例中，可以将第一主体和第二主体相互组合以形成圆环形状，并且该板可以沿着其长度方向具有相同的宽度，使得沿着环状体的半径方向设置的板之间的距离朝着排放空间的外面逐渐地加宽。