[发明专利]半导体器件及显示装置在审
申请号: | 201310061605.7 | 申请日: | 2013-02-27 |
公开(公告)号: | CN104009031A | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
发明(设计)人: | 谢文献;林崑宗 | 申请(专利权)人: | 天钰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人: | 徐丽昕 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 显示装置 | ||
1.一种半导体器件,其包括:P型衬底、数字电路模块及模拟电路模块,其特征在于:该数字电路模块接收并处理数字信号,该数字电路模块包括深掺杂N阱、第一P型半导体元件、第一N型半导体元件及P阱,该深掺杂N阱设置于该P型衬底上,该第一P型半导体元件及P阱分别设置于该深掺杂N阱上,该第一N型半导体元件设置于该P阱上,该模拟电路模块接收该数字电路输出的数字信号并输出模拟信号,该模拟电路模块包括第二P型半导体元件、第二N型半导体元件及N阱,该第二N型半导体元件及N阱分别设置于该P型衬底上,该第二P型半导体元件设置于该N阱上。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,该模拟电路模块输出的模拟信号包括正极性电压信号及负极性电压信号,定义该正极性电压信号与负极性电压信号的最大电压差为A,其中第二P型半导体元件及该第二N型半导体元件的最大耐压值大于等于A。
3.根据权利要求2所述的半导体器件,其中,该正极性电压信号与负极性电压信号的最大电压差A等于13.5伏、6伏、16.5伏或18伏。
4.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于:该正极性电压信号的电压范围为0至A,该负极性电压信号的电压范围为0至A。
5.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于:该正极性电压信号的电压范围为A/2至A,该负极性电压信号的电压范围为0至A/2。
6.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于:该正极性电压信号的电压范围为0至A/2,该负极性电压信号的电压范围为-A/2至0。
7.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:该数字电路模块输出的数字信号的高低点平差值为B,其中第一P型半导体元件及该第一N型半导体元件的最大耐压值在大于等于B小于等于4伏的范围。
8.根据权利要求7所述的半导体器件,其特征在于:B等于1.2伏、1.8伏或3.3伏。
9.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:该半导体器件为显示装置的数据驱动电路,其连接于时序控制电路与显示面板之间,接收该时序控制电路输出的数字的图像信号并输出模拟的灰阶电压信号至该显示面板。
10.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:该数字电路模块与模拟电路模块并列设置于该P型衬底上,且该数字电路模块与模拟电路模块之间具有隔离区。
11.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:数字电路模块的第一P型半导体元件与第一N型半导体元件之间具有隔离区;模拟电路模块的第二P型半导体元件与第二N型半导体元件之间具有隔离区。
12.一种半导体器件,其包括衬底、数字电路模块及模拟电路模块,其特征在于:该数字电路模块接收并处理数字信号,该数字电路模块包括深掺杂N阱、第一P型半导体元件、第一N型半导体元件及P阱,该深掺杂N阱设置于该衬底上,该第一P型半导体元件及P阱分别设置于该深掺杂N阱上,该第一N型半导体元件设置于该P阱上,该模拟电路模块接收该数字电路输出的数字信号并输出模拟信号,该模拟电路模块包括第二P型半导体元件及第二N型半导体元件,该第二N型半导体元件及第二P型半导体元件分别设置于该衬底上。
13.一种显示装置,其包括:时序控制电路、显示面板及连接于该时序控制电路与该显示面板之间的数据驱动电路,该数据驱动电路包括P型衬底、数字电路模块及模拟电路模块,其特征在于:该数字电路模块接收并处理时序控制电路输出的数字信号,该数字电路模块包括深掺杂N阱、第一P型半导体元件、第一N型半导体元件及P阱,该深掺杂N阱设置于该P型衬底上,该第一P型半导体元件及P阱分别设置于该深掺杂N阱上,该第一N型半导体元件设置于该P阱上,该模拟电路模块接收该数字电路模块输出的数字信号并输出灰阶电压信号至该显示面板,该模拟电路模块包括第二P型半导体元件、第二N型半导体元件及N阱,该第二N型半导体元件及N阱分别设置于该P型衬底上,该第二P型半导体元件设置于该N阱上。
14.一种显示装置,其包括时序控制电路、显示面板及连接于该时序控制电路与该显示面板之间的数据驱动电路,该数据驱动电路包括衬底、数字电路模块及模拟电路模块,该数字电路模块接收并处理时序控制电路输出的数字信号,其特征在于:该数字电路模块包括深掺杂N阱、第一P型半导体元件、第一N型半导体元件及P阱,该深掺杂N阱设置于该衬底上,该第一P型半导体元件及P阱分别设置于该深掺杂N阱上,该第一N型半导体元件设置于该P阱上,该模拟电路模块接收该数字电路模块输出的数字信号并输出灰阶电压信号至该显示面板,该模拟电路模块包括第二P型半导体元件、第二N型半导体元件,该第二N型半导体元件及第二P型半导体元件分别设置于该衬底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的