[发明专利]半导体器件及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体器件及显示装置。

背景技术

目前，半导体器件，如半导体芯片在电子技术领域已经得到了广泛的应用。通常半导体器件包括衬底、设置于衬底上的数字电路模块与模拟电路模块，并且通常数字电路模块与模拟电路模块的半导体元件需要的耐压值一般不同，如：数字电路模块的半导体元件只需要大概3.3伏以上（或者5伏以上）的耐压值，而模拟电路模块的半导体元件则根据实际应用的不同而不同，有时候可能需要10伏以上的耐压值。特别地，有时候有些模拟电路模块因需求需要输出正电压与负电压，此时，模拟电路模块的衬底通常需要连接负电压，但是由于数字电路模块与模拟电路模块都设置至在同一衬底上，当衬底连接负电压时，可能导致数字电路模块的半导体元件需要承受负电压至3.3伏（或5伏）这么大范围的跨压而导致数字电路模块的半导体元件的损坏，降低半导体器件的可靠度。

发明内容

有鉴于此，提供一种可靠度较高的半导体器件实为必要。

有鉴于此，提供一种具有可靠度较高的半导体器件的显示装置实为必要。

一种半导体器件，其包括：P型衬底、数字电路模块及模拟电路模块。该数字电路模块接收并处理数字信号，其包括深掺杂N阱、第一P型半导体元件、第一N型半导体元件及P阱，该深掺杂N阱设置于该P型衬底上，该第一P型半导体元件及P阱分别设置于该深掺杂N阱上，该第一N型半导体元件设置于该P阱上。该模拟电路模块接收该数字电路输出的数字信号并输出模拟信号，其包括第二P型半导体元件、第二N型半导体元件及N阱，该第二N型半导体元件及N阱分别设置于该P型衬底上，该第二P型半导体元件设置于该N阱上。

一种半导体器件，其包括衬底、数字电路模块及模拟电路模块。该数字电路模块接收并处理数字信号，该数字电路模块包括深掺杂N阱、第一P型半导体元件、第一N型半导体元件及P阱，该深掺杂N阱设置于该衬底上，该第一P型半导体元件及P阱分别设置于该深掺杂N阱上，该第一N型半导体元件设置于该P阱上，该模拟电路模块接收该数字电路输出的数字信号并输出模拟信号，该模拟电路模块包括第二P型半导体元件及第二N型半导体元件，该第二N型半导体元件及第二P型半导体元件分别设置于该衬底上。

一种显示装置，其包括：时序控制电路、显示面板及连接于该时序控制电路与该显示面板之间的数据驱动电路。该数据驱动电路包括P型衬底、数字电路模块及模拟电路模块。该数字电路模块接收并处理时序控制电路输出的数字信号，其包括深掺杂N阱、第一P型半导体元件、第一N型半导体元件及P阱，该深掺杂N阱设置于该P型衬底上，该第一P型半导体元件及P阱分别设置于该深掺杂N阱上，该第一N型半导体元件设置于该P阱上。该模拟电路模块接收该数字电路模块输出的数字信号并输出灰阶电压信号至该显示面板，其包括第二P型半导体元件、第二N型半导体元件及N阱，该第二N型半导体元件及N阱分别设置于该P型衬底上，该第二P型半导体元件设置于该N阱上。

一种显示装置，其包括时序控制电路、显示面板及连接于该时序控制电路与该显示面板之间的数据驱动电路，该数据驱动电路包括衬底、数字电路模块及模拟电路模块。该数字电路模块接收并处理时序控制电路输出的数字信号，该数字电路模块包括深掺杂N阱、第一P型半导体元件、第一N型半导体元件及P阱，该深掺杂N阱设置于该衬底上，该第一P型半导体元件及P阱分别设置于该深掺杂N阱上，该第一N型半导体元件设置于该P阱上，该模拟电路模块接收该数字电路模块输出的数字信号并输出灰阶电压信号至该显示面板，该模拟电路模块包括第二P型半导体元件、第二N型半导体元件，该第二N型半导体元件及第二P型半导体元件分别设置于该衬底。

相较于现有技术，由于数字电路模块的第一N型半导体元件通过P阱设置于深掺杂N阱上，进而无论该P型衬底连接哪种基准电压，都难于对该第一N型半导体元件产生影响，从而避免该第一N型半导体元件产生漏电或者损坏，该半导体器件的可靠度较高。

附图说明

图1是本发明显示装置的结构示意图。

图2是本发明半导体器件的剖视图。

主要元件符号说明