[发明专利]低功耗半导体存储器的制作方法有效
| 申请号： | 201310062342.1 | 申请日： | 2010-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN103151315A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功耗 半导体 存储器 制作方法 | ||
1.一种低功耗半导体存储器的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有具有第一导电类型的有源区，以及所述有源区外的介电隔离区；
在所述半导体衬底上依次形成具有第一导电类型的第一掺杂层、具有第二导电类型的第二掺杂层以及介电保护层；
部分刻蚀所述介电保护层、第二掺杂层与第一掺杂层，有源区与介电隔离区上残留的第二掺杂层与第一掺杂层形成栅极结构；
在所述栅极结构的两侧形成间隙壁结构，在所述栅极结构两侧的有源区中形成源区与漏区；
在所述半导体衬底上形成第一层间介电层，刻蚀所述第一层间介电层，直至露出介电保护层的表面；
图形化所述介电保护层，以所述图形化的介电保护层为掩膜，刻蚀所述栅极结构直至露出有源区与介电隔离区表面，形成位于栅极结构两端的第一开口与第二开口，所述第一开口或第二开口至少部分位于有源区上，所述第一开口与第二开口间的第一掺杂层与第二掺杂层分别作为垂直隧穿场效应管的第二导电区与第一导电区；
在所述栅极结构的第一开口与第二开口中依次填充介电隔离材料与栅极导电材料，在所述第一开口中形成第一控制电极，在所述第二开口中形成第二控制电极。
2.如权利要求1所述的低功耗半导体存储器的制作方法，其特征在于，所述形成第二掺杂层包括：对所述第一掺杂层进行离子注入，在所述第一掺杂层的上部形成具有第二导电类型的第二掺杂层。
3.如权利要求1所述的低功耗半导体存储器的制作方法，其特征在于，所述第一掺杂层采用原子层堆积、化学气相淀积方式形成。
4.如权利要求1所述的低功耗半导体存储器的制作方法，其特征在于，所述第一掺杂层采用Ge、GeSi、GaAs、InP、Si形成。
5.如权利要求1所述的低功耗半导体存储器的制作方法，其特征在于，所述第一控制电极与第二控制电极采用铝、铜或多晶硅形成。
6.如权利要求1所述的低功耗半导体存储器的制作方法，其特征在于，所述介电保护层包括氧化层以及所述氧化层上的氮化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
