[发明专利]曝光装置和使用曝光装置的器件制造方法有效
申请号: | 201310062492.2 | 申请日: | 2013-02-28 |
公开(公告)号: | CN103293873A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 铃木厚志;平野真一 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 罗银燕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 曝光 装置 使用 器件 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及曝光装置和使用曝光装置的器件制造方法。
背景技术
曝光装置是在包含于用于半导体器件、液晶显示设备等的制造步骤中的光刻步骤中通过投影光学系统将原版(original plate)(中间掩模(reticle)等)的图案转印到感光基板(例如,晶片、玻璃板等,其表面涂有抗蚀剂层)上的装置。特别地,作为用于在晶片上安装半导体器件的方法,存在倒装芯片安装方法。在与倒装芯片安装方法对应的半导体器件制造处理中,包括在器件(芯片)上形成焊料球的步骤。并且,作为用于形成焊料球的方法,存在电镀方法。在电镀方法中,为了使在晶片上形成的导电膜与电镀设备的电极接触(导通),在导电膜上形成的与电极接触的抗蚀剂的一部分需要被提前剥离。例如,当抗蚀剂为负抗蚀剂时,防止曝光光在通过曝光装置曝光时照射晶片的外周区域。为了实现这一点,美国专利No.6680774公开了如下装置,在该装置中用于在曝光期间对外周区域遮光的遮光板被布置在晶片的表面之上。并且,日本专利公开No.2011-233781公开了如下光刻装置,在该光刻装置中遮光板被布置在与晶片面光学共轭的面上而不是晶片上。在日本专利公开No.2011-233781中公开的光刻装置中,在其边缘处具有圆弧的遮光板在位置上受第一驱动单元和第二驱动单元控制,以限定与位于外周区域中的周边射击(shot)区域对应的曝光区域,所述第一驱动单元关于与照明系统的光轴平行的轴旋转地驱动遮光板,所述第二驱动单元在与光轴垂直的面内直线地驱动遮光板。借助于定位控制,从晶片的外周到被遮光的外周区域的边界线的距离(遮光宽度)对于各周边射击区域变得恒定。
然而,当遮光板如在美国专利No.6680774中公开的那样被布置在晶片的表面之上时,遮光板需要在各晶片调换时退避,这在用于设置驱动遮光板的驱动机构的间隔和处理量方面是不希望的。另一方面,即使当遮光板如在日本专利公开No.2011-233781中公开的那样被布置在与晶片面光学共轭的面上时,用于驱动遮光板的驱动机构仍被布置在装置内。例如,为了通过诸如旋转驱动和直线驱动之类的双轴驱动将周边射击区域上的任何希望位置遮光,需要在用于关于光轴旋转地驱动遮光板的第一驱动单元之上安装用于直线地驱动遮光板的第二驱动单元。因此,当考虑在驱动机构内直接测量遮光板的位置这一事实时,变得难以设置传感器或安装部分。另外,从优化驱动量来提高处理量的观点看,第一驱动单元的旋转中心与光轴匹配是优选的。此时,由于用作光路的旋转中心附近的遮光板的布置的限制,需要从第一驱动单元执行向遮光板的旋转传送。然而,通过齿轮或传送带等的旋转传送会由于磨损等导致机械劣化。这样的机械劣化直接影响遮光的定位精度。特别地,由光刻装置的长期使用导致的机械劣化会导致晶片上的遮光位置的改变,从而对于产品自身导致不利影响。为了避免这样的情况,设想通过周期性地曝光和显影测试晶片来检查遮光的定位精度,但这需要一定的装置停机时间和检查工时。
发明内容
本发明提供有利于在基板上形成不被曝光光照射的特定区域的曝光装置。
根据本发明的一个方面,提供了一种曝光装置,所述曝光装置用从照明系统发射的光照射在原版上形成的图案以由此经由投影光学系统在基板上曝光所述图案的图像,所述曝光装置包括:遮光板,所述遮光板被布置在与用作照明系统中的投影光学系统的物体面的基板面共轭的面上,在边缘处包括与基板的外周的内侧的圆形边界线重叠的圆弧,所述圆形边界线限定在其上形成基板上的图像的区域,并且屏蔽光以防止光入射到基板上的所述圆形边界线外部的外周区域;第一驱动单元,所述第一驱动单元关于与照明系统的光轴平行的轴旋转地驱动所述遮光板;第二驱动单元,所述第二驱动单元在与所述光轴垂直的面内直线地驱动所述遮光板;检测单元,所述检测单元检测通过所述遮光板遮光的遮光位置;和控制单元,所述控制单元存储基准时间点处的遮光位置以及在所述基准时间点之后改变所述遮光板时的所述遮光板的改变前后的遮光位置,并基于在改变所述遮光板之后的任意时间点处由所述检测单元检测的遮光位置、所述基准时间点处的遮光位置以及改变所述遮光板前后的遮光位置之间的差值来计算遮光位置的变化量。
根据本发明,可以提供有利于在基板上形成不被曝光光照射的特定区域的曝光装置。
参照附图从示例性实施例的以下描述中,本发明的其它特征将变得清晰。
附图说明
图1是示出根据本发明的一个实施例的曝光装置的配置的示图。
图2是示出遮光机构的配置的示图。
图3是示出晶片上的曝光区域和遮光区域的示图。
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