[发明专利]光电封装体及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体封装体及其制造方法，且特别涉及一种光电封装体及其制造方法。

背景技术

现今的影像传感器，例如互补式金属氧化物半导体影像传感器(CMOS Image Sensor，CIS)，通常具有封装壳(housing)、芯片(chip)以及载板(carrier)。封装壳具有一容置空间，且封装壳与芯片皆装设在载板上，其中封装壳罩盖整个芯片，而芯片位在容置空间内。在封装壳与芯片装设在载板上之后，容置空间会形成密闭的腔室(cavity)，而此腔室内会存留空气。

具体而言，封装壳通常包括框体(frame)与玻璃板，其中容置空间是由框体与玻璃板所定义。在封装壳与芯片皆装设在载板上之后，框体会围绕芯片，而玻璃板则位在芯片主动区(active area)的正上方，其中透光板不会接触主动区，且透光板与主动区之间会存留空气。如此，外界的光线在穿过透光板之后得以入射至主动区，以使芯片能感测到外界的光线。

封装壳通常是用热固性胶体而黏合于载板，所以在封装壳装设于载板的过程中，封装壳会先用尚未固化的热固性胶体黏合于载板。之后，进行加热流程，以固化热固性胶体。为避免封装壳内的空气因受热膨胀而挤破热固性胶体，封装壳或载板通常设有逃气孔，以使封装壳内的空气能从逃气孔释出。此外，在完成封装壳的装设之后，会在逃气孔内填入胶材来封住逃气孔，以防止水气或灰尘进入封装壳内而干扰芯片的运作。

发明内容

本发明提供一种光电封装体，其具有透光保护层，而此透光保护层覆盖并接触芯片的主动区。

本发明另提供一种光电封装体的制造方法，以用于制造上述光电封装体。

本发明提出一种光电封装体，其包括一光电芯片、一透光保护层以及多个接垫。光电芯片具有一上表面以及一位于上表面的主动区。透光保护层连接光电芯片，并覆盖上表面，其中透光保护层接触并全面性地附着于主动区。这些接垫电性连接光电芯片。

换句话说，本发明提供一种光电封装体，其特征在于，该光电封装体包括：光电芯片，具有上表面以及位于该上表面的主动区；透光保护层，连接该光电芯片，并覆盖该上表面，其中该透光保护层接触并全面性地附着于该主动区；以及多个接垫，电性连接该光电芯片。

本发明其中一实施例另提出一种光电封装体的制造方法。首先，提供一芯片组件，其中芯片组件包括一光电芯片、多个电性连接光电芯片的接垫以及一基板；光电芯片与这些接垫配置在基板上，而光电芯片具有一上表面以及一位于上表面的主动区；接着，覆盖一透光材料于一芯片组件上，其中透光材料覆盖上表面并全面性地覆盖主动区；之后，固化透光材料，以使透光材料转变为一透光保护层。

基于上述，上述透光保护层覆盖光电芯片，并且覆盖及接触光电芯片的主动区，以使光电封装体内部基本上不会形成存留空气的间隙或腔室。如此，透光保护层得以密封以及保护光电芯片。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与所附附图仅用来说明本发明，而非对本发明的保护范围作任何的限制。

附图说明

图1A至图1D是本发明实施例一的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；

图2A至图2C是本发明实施例二的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；

图3A至图3B是本发明实施例三的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；

图4A至图4C是本发明实施例四的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；

图5A至图5B是本发明实施例五的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；

图6A至图6D是本发明实施例六的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；

图7A至图7B是本发明实施例七的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；

图8A至图8B是本发明实施例八的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；

图9A至图9B是本发明实施例九的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；

图10A至图10C是本发明实施例十的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；

图11A至图11C是本发明实施例十一的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；

图12A至图12B是本发明实施例十二的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；

图13A至图13B是本发明实施例十三的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；

图14是本发明其中一实施例的光电封装体在其光电芯片处的局部放大立体示意图。