[发明专利]与FINFET工艺相兼容的二极管结构

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

阱，具有第一掺杂类型，形成在具有所述第一掺杂类型的衬底的上方，所述阱包括鳍；

源极，形成在所述阱的上方，位于所述鳍的第一侧，所述源极具有第二掺杂类型；

漏极，形成在所述阱的上方，位于所述鳍的第二侧，所述漏极具有所述第一掺杂类型；以及

栅氧化物，形成在所述鳍的上方，所述鳍的回退区将所述栅氧化物与所述源极横向分隔开。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述栅氧化物仅部分地覆盖所述鳍的顶面。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，在所述源极和所述漏极之间的所述鳍中限定沟道。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述栅氧化物覆盖所述鳍的紧邻所述漏极的一部分。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述回退区的第一宽度小于所述栅氧化物的第二宽度。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述栅氧化物的外侧壁与所述漏极的内侧壁垂直对齐。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述源极电连接至超过约三伏特的电压源。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述漏极和所述栅极电连接至地线。

9.一种集成电路，包括：

阱，具有第一掺杂类型，形成在具有所述第一掺杂类型的衬底的上方，所述阱包括具有鳍式顶面的鳍；

源极和漏极，形成在所述鳍的相对两侧，所述源极具有第二掺杂类型，所述漏极具有所述第一掺杂类型；以及

栅氧化物，覆盖所述鳍式顶面的第一部分，并留出所述鳍式顶面的第二部分，所述鳍式顶面的第二部分与未被所述栅氧化物覆盖的回退区相对应。

10.一种形成集成电路的方法，包括：

在衬底的上方形成具有第一掺杂类型的阱，所述衬底具有所述第一掺杂类型，所述阱包括具有鳍式顶面的鳍；

在所述鳍的相对侧形成源极和漏极，所述源极具有第二掺杂类型，所述漏极具有所述第一掺杂类型；以及

用栅氧化物覆盖所述鳍式顶面的第一部分，并留出所述鳍式顶面的第二部分，所述鳍式顶面的第二部分与未被所述栅氧化物覆盖的回退区相对应。