[发明专利]一种具有减反射膜的五结级联光伏电池的制造方法

权利要求书

1.一种具有减反射膜的五结级联光伏电池的制造方法，其特征在于：该制造方法依次包括如下步骤：

步骤一：在InP衬底（1）上利用MOVCD工艺依次生长ＧａＡｓ子电池（2）和ＧａＩｎＡｓ子电池（3）；

步骤二：采用真空镀膜机，在ＧａＩｎＡｓ子电池（3）上蒸镀第一减反射层（4）；

步骤三：利用MOCVD工艺在第一减反射层（4）上依次生长Ｇａ ＩｎＰ子电池（5）和应变补偿ＧａＡｓＰ／ＧａＩｎＡｓ超晶格子电池（6）；

步骤四：利用MOCVD工艺在应变补偿ＧａＡｓＰ／ＧａＩｎＡｓ超晶格子电池（6）上生长第二减反射层（7）；

步骤五：采用真空镀膜机，在第二减反射层（7）上蒸镀第三减反射层（8）；

步骤六：利用MOCVD工艺在第三减反射层（8）上生长ＧａＩｎ Ｐ子电池（9）；

步骤七：利用MOCVD工艺在ＧａＩｎＰ子电池（9）上依次生长第四减反射层（10）和第五减反射层（12）；

步骤八：采用真空镀膜机，在第五减反射层（12）上蒸镀第六减反射层（13）；

步骤九：在第六减反射层（13）的表面上，使用光刻胶覆盖住将要形成顶电极（11）的区域之外的区域之后，采用氢氟酸溶液刻蚀第五减反射层（12）和第六减反射层（13），直至露出第四减反射层（10）为止；

步骤十：采用溅射工艺在第四减反射层（10）的将要形成顶电极（11）的区域表面上溅射金属材料，从而形成所述顶电极（11）；在InP衬底（1）的整个下表面溅射金属材料，以形成底电极（1）。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：

其中，第一减反射层（4）为MgF₂，其折射率为1.36～1.40，厚度为40-60nm；第二减反射层（7）为AlGaInN薄膜，其折射率为3.2～3.4，厚度为30-40nm；第三减反射层（8）为ZnS薄膜，其折射率为2.1-2.3，厚度为50-70nm；第四减反射层（10）为AlGaInN薄膜，其折射率为3.2～3.4，厚度为30-40nm；第五减反射层（12）为Si₃N₄薄膜，其折射率为：2.1-2.4，其厚度为50-60nm；第六减反射层（13）为Ta₂O₅薄膜，其折射率为2.0～2.15，其厚度为80-100nm。

3.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于：

其中，蒸镀第一减反射层（4）的方法为：在真空镀膜机中，蒸镀温度为110～130℃，真空度大于10^-5torr，生长速率为0.4～0.5nm/s；

其中，蒸镀第三减反射层（8）的方法为：在真空镀膜机中，蒸镀温度为100～140℃，真空度大于10^-5torr，生长速率为0.2～0.4nm/s；

其中，蒸镀第六减反射层（13）的方法为：在真空镀膜机中，蒸镀温度为100～140℃，真空度大于10^-5torr，生长速率为0.2～0.3nm/s；

其中，MOCVD生长第二减反射层（7）和第四反射层（10）的方法为：在MOCVD淀积腔中，淀积温度为640～680℃，生长速率为0.4～0.6nm/s；

其中，MOCVD生长第五减反射层（12）的方法为：在MOCVD淀积腔中，淀积温度为660～680℃，生长速率为0.5～0.7nm/s。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：

采用金属材料来形成所述底电极和顶电极，该金属材料例如铝、银或金等。