[发明专利]一种低抛氧化铈抛光粉的制备方法

权利要求书

1.一种低抛氧化铈抛光粉的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，将一定量成分为3N5的硝酸铈溶液加入反应釜中，加入量不超过反应釜容积的1/3，开动搅拌，搅拌转速为100～150R/min；

步骤二，在步骤一转速的搅拌下，加入一定量的草酸铈于反应釜中，其中加入的草酸铈总量占所投入稀土总重量的1%～5%；

步骤三，对反应釜中物料进行加温，使物料温度保持在45～60℃，于此温度下将占稀土总REO的110%、浓度为120～250g/L的草酸溶液于30～45分钟内滴加到反应釜中，待草酸液滴加完毕后继续搅拌20～45分钟，得到草酸铈前躯体；

步骤四，停止搅拌，先使草酸铈前躯体沉淀静置15～30分钟，后进行水洗至pH值为6.5～7.0，最后对沉淀进行甩干过滤，形成松散的颗粒状草酸铈物料；

步骤五，将甩干过滤后的草酸铈物料于500～1000℃电炉中梯度升温并保温2～10小时，冷却后进行过筛除杂，得到平均粒径在7～10μm，最大粒径控制在30μm以内的氧化铈抛光粉。

2.根据权利要求1所述的低抛氧化铈抛光粉的制备方法，其特征在于，所述步骤一的硝酸铈溶液含有Pr杂质，CeO₂/TREO≥99.95%，Pr6O11/TREO≤50ppm。

3.根据权利要求1所述的低抛氧化铈抛光粉的制备方法，其特征在于，所述Pr杂质含量占稀土总重量的0.01%以内。

4.根据权利要求1所述的低抛氧化铈抛光粉的制备方法，其特征在于，所述Pr杂质含量占稀土总重量的0.005%以内。

5.根据权利要求1或2或3或4所述的低抛氧化铈抛光粉的制备方法，其特征在于，所述步骤一的硝酸铈溶液含有包括碱土金属离子和非金属离子的非稀土杂质，非稀土杂质占稀土重量的1%以下。

6.根据权利要求5所述的低抛氧化铈抛光粉的制备方法，其特征在于，非稀土杂质占稀土重量的0.5%以下。

7.根据权利要求5所述的低抛氧化铈抛光粉的制备方法，其特征在于，所述碱土金属离子包括Fe、Na、K、Mg、Ca、Pb以及Ba的一种或者多种，其中Na、K、Pb或Ba的重量占稀土重量的0.03%以下，所述非金属离子包括P、S以及Cl的一种或者多种，其中Cl的重量占稀土重量的0.1%以下。

8.根据权利要求1所述的低抛氧化铈抛光粉的制备方法，其特征在于，所述步骤二中草酸铈以晶种形式引入，以利于反应过程中草酸铈的结晶与形成。

9.根据权利要求1所述的低抛氧化铈抛光粉的制备方法，其特征在于，所述电炉温度为500～900℃，梯度升温并保温2～7小时。

10.根据权利要求1或9所述的低抛氧化铈抛光粉的制备方法，其特征在于，所述硝酸铈溶液浓度为150～300g/L。