[发明专利]一种CMOS管的掺杂方法

权利要求书

1.一种CMOS管的掺杂方法，包括如下步骤：

（1）．在P型半导体衬底上通过杂质扩散的方法形成N型阱，在N型阱旁边形成绝缘隔离层；此后在P型半导体衬底的表面上形成栅氧化层，在栅氧化层上淀积硬质掩模层；

（2）．NMOS管漏区的第一次离子注入：对N型阱的区域涂覆光刻胶以作为离子注入阻挡层；以离子束与水平方向成α的角度对NMOS管的漏区进行第一次掺杂，掺杂杂质为N型杂质，掺杂剂量为漏区总掺杂剂量的1/2；其中，硬质掩模层的高度为：在进行NMOS管漏区的第一次离子注入时，通过该硬质掩模层的遮挡，离子束仅能对该NMOS管的漏区进行掺杂，而NMOS管的源区无离子注入；

（3）．NMOS管的源区的第一次离子注入：以离子束与水平方向成（90°+α）的角度对NMOS管的源区进行第一次掺杂，掺杂杂质为N型杂质，掺杂剂量为NMOS管源区总掺杂剂量的1/2；其中，硬质掩模层的高度为：在进行NMOS管源区的第一次离子注入时，通过该硬质掩模层的遮挡，离子束仅能对NMOS管的源区进行掺杂，而NMOS管的漏区无离子注入；

（4）．重复步骤2和3，直至NMOS管的源区和漏区完成全部剂量的掺杂；

（5）．去除N型阱上的光刻胶，然后在NMOS管的区域表面上涂覆光刻胶，以作为离子注入阻挡层；

（6）．PMOS管漏区的第一次离子注入：以离子束与水平方向成α的角度对N型阱进行掺杂，掺杂杂质为P型杂质，掺杂剂量为PMOS管漏区总掺杂剂量的1/2；其中，硬质掩模层的高度为：在进行PMOS管漏区的第一次离子注入时，通过该硬质掩模层的遮挡，离子束仅能对PMOS管漏区进行掺杂，而PMOS管源区无离子注入；

（7）．PMOS管源区的第一次离子注入：以离子束与水平方向成（90o+α）的角度对N型阱进行掺杂，掺杂杂质为P型杂质，掺杂剂量为PMOS管源区总掺杂剂量的1/2；其中，硬质掩模层的高度为：在进行PMOS管源区的第一次离子注入时，通过该硬质掩模层的遮挡，离子束仅能对PMOS管源区进行掺杂，而PMOS管漏区无离子注入；

（8）．PMOS管漏区的第二次离子注入：重复步骤6，直至PMOS管漏区完成全部剂量的掺杂。

（9）．PMOS管源区的第二次离子注入：重复步骤7，直至PMOS管源区完成全部剂量的掺杂。

（10）．对CMOS管其进行退火，以激活掺杂杂质。

2.如权利要求1所述的CMOS管的掺杂方法，其特征在于：

其中，对NMOS管的源区和漏区掺杂时，注入离子的种类选择N型离子进行注入，如磷离子或砷离子等；如果采用磷离子，其注入能量为15～25Kev，NMOS管的源区和漏区的总掺杂剂量为5×10¹⁶～1×10¹⁷/cm²；如果采用砷离子，其注入能量为20～30Kev，NMOS管的源区和漏区的总掺杂剂量为1×10¹⁶～5×10¹⁷/cm²。

3.如权利要求1所述的CMOS管的掺杂方法，其特征在于：

其中，在对PMOS管的源区和漏区掺杂时，注入离子的种类选择P型离子进行注入，如硼离子或铟离子；如果采用硼离子，其注入能量为4～10Kev，注入总剂量为5×10¹⁵～1×10¹⁶/cm²；如果采用铟离子，其注入能量为20～40Kev，注入总剂量为1×10¹⁵～1×10¹⁶/cm²。