[发明专利]热处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种对基板进行热处理的热处理装置，尤其涉及一种对加热状态的基板进行空气冷却的装置。

背景技术

制造液晶显示装置或各种半导体器件等的工艺(process)包括所谓的光刻(photolithography)工艺，所述光刻工艺是在玻璃基板或半导体晶片等的基板的上表面涂布抗蚀液后，再将此基板以规定的图案进行曝光，进而进行显影。

所述光刻工艺中，为了将基板设为适合于各个步骤的温度，而在工艺进行期间重复基板的加热与冷却。也就是，在进行某处理时由加热板(hotplate)等加热的基板，在该处理结束后提供至后段的处理时被冷却。作为在此情况下担负基板的冷却的装置，如下的热处理装置已为人所知，即，在框体内具备内部流通有冷却剂而成的冷却板，且将加热状态的被处理基板载置于外冷却板上，由此对被处理基板进行冷却(例如参照专利文献1)。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2007-324168号公报

发明内容

发明要解决的课题

专利文献1中公开的热处理装置为了提高被处理基板的表面温度的均一性，而从供气管向框体内供给气体。更详细而言，利用设置在供气口的上端的上部的檐状的整流板，来导引气体。或者，还公开了附设有对所述整流板供给冷却用气体的喷嘴的形态。

然而，专利文献1中公开的热处理装置中，因必须始终借助于流通冷却剂的冷却板来进行冷却，所以构成复杂。在设置冷却用气体用的喷嘴的情况下，所述构成更为复杂。而且，在专利文献1公开的热处理装置中，因基板与冷却板进行面接触，所以容易引起附着在冷却板的颗粒(particle)附着在基板上的不良情况。

而且，就液晶显示装置等中所使用的玻璃基板而言，通常专利文献1中作为处理对象的所述玻璃基板比半导体晶片大，具有数十cm～数m见方的尺寸。优选在对此种大尺寸的基板进行热处理的装置中，除热处理的均一性外还考虑基板的操作的便利性。

本发明鉴于所述课题而完成，目的在于提供一种既具有较为简单的构成，且仅利用空气冷却便可将加热状态的基板有效地冷却的热处理装置。

解决课题的手段

为了解决所述课题，技术方案1的发明是一种热处理装置，通过使环境气体从外部流入至收容着基板的收容部而将基板冷却，所述热处理装置的特征在于：收容基板的收容部包括：多个支撑销，用以水平地支撑基板；开口部，供所述环境气体从外部沿水平方向流入；排气口，设置在与所述开口部相对向的位置处，且用以将所述环境气体排出；以及流速分布赋予单元，在所述基板由所述支撑销水平地支撑且被所述环境气体冷却时，使至少所述基板的下侧的所述环境气体的流动中，产生具备所述排气口的一侧的流速比于所述开口部侧的流速更大的流速分布。

技术方案2的发明如技术方案1所述的热处理装置，其特征在于：所述流速分布赋予单元通过使具备所述排气口的一侧的所述基板与所述收容部的距离比所述开口部侧的所述基板与所述收容部的距离窄，而产生所述流速分布。

技术方案3的发明如技术方案2所述的热处理装置，其特征在于：所述流速分布赋予单元为在所述收容部的底部的具备所述排气口的一侧与所述开口部侧设置的阶差。

技术方案4的发明如技术方案3所述的热处理装置，其特征在于：所述阶差的形成位置与所述开口部的距离为所述开口部与具备所述排气口的位置的距离的1/4以上3/4以下。

技术方案5的发明是一种热处理装置，利用基板与周围的环境气体的温度差而将所述基板冷却，所述热处理装置的特征在于：具有由如下各部包围的热处理空间：底部，由水平地支撑基板的多个支撑销突出而成；侧部，与所述底部垂直；顶面部，与所述底部相对向；以及内端部，与所述底部、所述侧部、及所述顶面部垂直，所述内端部包括用以将环境气体从所述热处理空间排出的排气口，所述热处理装置还包括流速分布赋予单元，所述流速分布赋予单元为了对由所述支撑销水平地支撑的所述基板进行冷却，而从所述排气口排出所述环境气体，由此，当使新的所述环境气体流入至所述热处理空间时，至少在所述基板的下侧，产生具备所述排气口的一侧的所述环境气体的流速比于所述热处理空间的开口部侧的流速更大的流速分布。

技术方案6的发明如技术方案5所述的热处理装置，其特征在于：所述流速分布赋予单元通过使具备所述排气口的一侧的所述基板与所述底部的距离比所述开口部侧的所述基板与所述底部的距离窄，而产生所述流速分布。