[发明专利]多晶硅栅极的形成方法有效
| 申请号： | 201310066824.4 | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN104022026A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 张翼英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 栅极 形成 方法 | ||
1.一种多晶硅栅极的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有自下至上依次层叠的多晶硅层和掩模层；
选择性去除所述掩模层，以形成掩模图形；
在所述掩模图形的侧壁上制备侧墙；
对所述多晶硅层进行干法刻蚀，以形成多晶硅栅极，刻蚀气体对所述多晶硅栅极的侧壁的刻蚀速率大于所述侧壁上有机物的沉积速率；以及
去除所述侧墙。
2.如权利要求1所述的多晶硅栅极的形成方法，其特征在于，在所述掩模图形的侧壁上制备侧墙的步骤包括：
在所述掩模图形和所述多晶硅层上制备一牺牲层；
刻蚀所述牺牲层，并保留所述掩模图形的侧壁上的所述牺牲层，以形成所述侧墙。
3.如权利要求2所述的多晶硅栅极的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积、物理气相沉积或原子层沉积的方法，在所述掩模图形和所述多晶硅层上制备一牺牲层。
4.如权利要求1或2或3所述的多晶硅栅极的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底和所述多晶硅层之间还包括一刻蚀停止层。
5.如权利要求1所述的多晶硅栅极的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀的气体包括氯气和氧气，其中，氯气的流量速率范围为60sccm～150sccm，氧气的流量速率范围为5sccm～20sccm。
6.如权利要求1所述的多晶硅栅极的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为二氧化硅、氮化硅、无定形碳、有机物或金属中的一种或几种的组合。
7.如权利要求1所述的多晶硅栅极的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀或干法刻蚀去除所述侧墙。
8.如权利要求1所述的多晶硅栅极的形成方法，其特征在于，所述掩模层为单层掩膜层或多层掩膜层。
9.如权利要求8所述的多晶硅栅极的形成方法，其特征在于，所述多层掩膜层为自下至上依次层叠的氮化物掩模层和氧化物掩模层。
10.如权利要求1所述的多晶硅栅极的形成方法，其特征在于，所述多晶硅层为磷掺杂多晶硅层。
11.如权利要求10所述的多晶硅栅极的形成方法，其特征在于，所述多晶硅层中磷的掺杂浓度为1E19/cm3～1E20/cm3。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
