[发明专利]具有多单元阵列的半导体发光器件有效
申请号: | 201310067410.3 | 申请日: | 2013-03-04 |
公开(公告)号: | CN103311420B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 林璨默;李锺昊;金真焕;申永澈;赵秀玄;李镇贤 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/36 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 陈源,张帆 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 单元 阵列 半导体 发光 器件 | ||
1.一种半导体发光器件,包括:
衬底;
多单元阵列,其包括布置在所述衬底的上表面上的多个发光单元,每个发光单元具有形成在所述衬底的上表面上的第一导电类型半导体层、有源层、和第二导电类型半导体层;
多个第一电极和多个第二电极,其形成在每个发光单元中并且具有相反极性;
多个互连单元,其将形成在一个发光单元中的多个第一电极串联连接到形成在相邻发光单元中的多个第二电极;以及
绝缘层,其形成在各发光单元的表面上以便防止所述多个互连单元与各发光单元的不期望区域进行连接。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件,还包括:
第一连接单元,其连接到位于包括串联连接的多个发光单元的所述多单元阵列的一端处的发光单元的各第一电极;以及
第二连接单元,其连接到位于包括串联连接的多个发光单元的所述多单元阵列的另一端处的发光单元的各第二电极。
3.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中所述多个发光单元排列成多个列,每列具有两个或更多的发光单元,并且
所述互连单元包括第三连接单元,所述第三连接单元将位于各个列的一端处的各互连单元在行方向上彼此连接。
4.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中所述多个第一电极和所述多个第二电极彼此面对地排列。
5.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中所述发光单元中形成的第一电极的数量等于相邻发光单元中形成的第二电极的数量。
6.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中所述发光单元中形成的所述多个第一电极按规则间隔排列。
7.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中所述发光单元中形成的所述多个第二电极按规则间隔排列。
8.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中所述多个发光单元按单行或单列排列。
9.一种半导体发光器件,包括:
衬底;
多单元阵列,其包括布置在所述衬底的上表面上的多个发光单元,每个发光单元具有形成在所述衬底的上表面上的第一导电类型半导体层、有源层、和第二导电类型半导体层;
多个第一电极和多个第二电极,其形成在每个发光单元中并且具有相反极性;
多个第一连接单元,每个第一连接单元分别连接在每个发光单元中形成的所述多个第一电极;
多个第二连接单元,每个第二连接单元分别连接在每个发光单元中形成的所述多个第二电极;
多个互连单元,其串联连接所述第一连接单元和所述第二连接单元;以及
绝缘层,其形成在各发光单元的表面上以便防止所述多个互连单元与各发光单元的不期望区域进行连接。
10.根据权利要求9所述的半导体发光器件,其中所述多个发光单元排列成多个列,每列具有两个或更多的发光单元,并且
所述互连单元包括连接线,所述连接线将位于各个列的一端处的各互连单元在行方向上彼此连接。
11.根据权利要求9所述的半导体发光器件,其中所述多个第一电极和所述多个第二电极彼此面对地排列。
12.根据权利要求9所述的半导体发光器件,还包括:
至少一个第一接合焊盘,其连接到一个第一连接单元,所述一个第一连接单元连接位于包括串联连接的多个发光单元的所述多单元阵列的一端处的发光单元的各第一电极;以及
至少一个第二接合焊盘,其连接到一个第二连接单元,所述一个第二连接单元连接位于包括串联连接的多个发光单元的所述多单元阵列的另一端处的发光单元的各第二电极。
13.根据权利要求9所述的半导体发光器件,其中所述发光单元中形成的第一电极的数量等于相邻发光单元中形成的第二电极的数量。
14.根据权利要求9所述的半导体发光器件,其中所述发光单元中形成的所述多个第一电极按规则间隔排列。
15.根据权利要求9所述的半导体发光器件,其中所述发光单元中形成的所述多个第二电极按规则间隔排列。
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