[发明专利]具有多单元阵列的半导体发光器件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求分别于2012年3月6日和2012年5月21日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2012-0022890号和第10-2012-0053550号的优先权，其公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及半导体发光器件，更具体地，涉及具有其中排列有多个发光单元的结构的半导体发光器件。

背景技术

通常，在光输出、发光效率和可靠性发明，半导体发光二极管（LED）是有用的光源。因此，已经积极展开了对不仅在显示装置的背光单元而且在各种照明设备中用作高输出高效率光源的LED的开发的研究。

当对半导体LED施加电流时由于在p型半导体与n型半导体之间的p-n结处产生电子-空穴复合而引起半导体LED发光。与传统光源相比，这些LED能够在低压和低电流下持续发光，因此，其甚至可以以低功耗实现高效率。作为这种LED的示例，GaN基LED是已知技术。在GaN基LED中，由GaN基半导体形成的n型半导体层、有源层（或发光层）、p型半导体层按顺序形成在由蓝宝石、硅树脂等形成的衬底上。

通常，有源半导体层和p型半导体层的一部分通过刻蚀工艺被去除，使得n型半导体层的一部分向外暴露。透明电极层形成在p型半导体层的上表面上，并且电极焊盘形成在该透明电极层上。而且，另一个电极焊盘形成在n型半导体层的暴露部分上。当电流施加到电极焊盘时，电流从一个电极焊盘通过p型半导体层、有源半导体层、和n型半导体层，流向形成在n型半导体层上的另一个电极焊盘。

这里，在透明电极层与其下面形成的半导体层之间可能存在晶体结构缺陷，并且这些缺陷会使在LED的各个层中的电流扩散恶化。此外，由于在p型和n型电极之间的多个电流通路当中存在导电电阻率值方面的差异，因此很难实现均匀电流扩散。

发明内容

本发明的一个方面提供了一种具有改进的电流扩散效果的半导体发光器件。

根据本发明的一个方面，提供了一种半导体发光器件，包括：衬底；多单元阵列，其包括布置在所述衬底的上表面上的多个发光单元，每个发光单元具有形成在所述衬底的上表面上的第一导电类型半导体层、有源层、和第二导电类型半导体层；多个第一电极和多个第二电极，其形成在每个发光单元中并且具有相反极性；多个互连单元，其将形成在一个发光单元中的多个第一电极串联连接到形成在相邻发光单元中的多个第二电极；以及绝缘层，其形成在各发光单元的表面上以便防止所述多个互连单元与各发光单元的不期望区域进行连接。

该半导体发光器件还可以包括：第一连接单元，其连接到位于包括串联连接的多个发光单元的所述多单元阵列的一端处的发光单元的各第一电极；以及第二连接单元，其连接到位于包括串联连接的多个发光单元的所述多单元阵列的另一端处的发光单元的各第二电极。

所述多个发光单元可以排列成多个列，每列具有两个或更多的发光单元，并且所述互连单元可以包括第三连接单元，所述第三连接单元将位于各个列的一端处的各互连单元在行方向上彼此连接。

所述多个第一电极和所述多个第二电极可以彼此面对地排列。

所述发光单元中形成的第一电极的数量可以等于相邻发光单元中形成的第二电极的数量。

所述发光单元中形成的所述多个第一电极可以按规则间隔排列。

所述发光单元中形成的所述多个第二电极可以按规则间隔排列。

根据本发明的另一个方面，提供了一种半导体发光器件，包括：衬底；多单元阵列，其包括布置在所述衬底的上表面上的多个发光单元，每个发光单元具有形成在所述衬底的上表面上的第一导电类型半导体层、有源层、和第二导电类型半导体层；多个第一电极和多个第二电极，其形成在每个发光单元中并且具有相反极性；多个第一连接单元，每个第一连接单元分别连接在每个发光单元中形成的所述多个第一电极；多个第二连接单元，每个第二连接单元分别连接在每个发光单元中形成的所述多个第二电极；多个互连单元，其串联连接所述第一连接单元和所述第二连接单元；以及绝缘层，其形成在各发光单元的表面上以便防止所述多个互连单元与各发光单元的不期望区域进行连接。

所述多个发光单元可以排列成多个列，每列具有两个或更多的发光单元，并且所述互连单元可以包括连接线，所述连接线将位于各个列的一端处的各互连单元在行方向上彼此连接。

所述多个第一电极和所述多个第二电极可以彼此面对地排列。