[发明专利]测试基片去夹持终点的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种测试基片去夹持终点的方法。

背景技术

等离子处理装置利用真空反应室的工作原理进行半导体基片和等离子平板的基片的加工。真空反应室的工作原理是在真空反应室中通入含有适当刻蚀剂源气体的反应气体，然后再对该真空反应室进行射频能量输入，以激活反应气体，来激发和维持等离子体，以便分别刻蚀基片表面上的材料层或在基片表面上淀积材料层，进而对半导体基片和等离子平板进行加工。

等离子体处理腔室对基片执行制程过程中，基片被设置在腔室内的静电夹盘上。静电夹盘下方设置了一个直流电极，当直流电极连接了电源之后会产生一个静电吸力，将基片夹持于静电夹盘上。制程结束后，直流电极断开与电源的连接，然后对基片进行去夹持。

工程师是依靠去夹持终点的信号来判断基片去夹持是否成功，以进行后续的一系列工作。

因此去夹持终点的判断精确性就尤为重要。

发明内容

针对背景技术中的上述问题，本发明提出了一种用于多腔室等离子处理装置的减少颗粒污染的方法。

本发明第一方面提供了一种用于等离子体处理腔室的测试基片去夹持终点的方法，其中，所述等离子体处理腔室中设置有一基台，所述基台中包括静电夹盘，所述基片设置于静电夹盘上方，在所述基台中设置了若干气体通道，所述气体通路下游连接有一由限流孔和阀门并联而成的气体回路，在所述气体回路下游还依次连接有控制装置和气体供应装置，其中，所述方法包括如下步骤：

步骤(b)，关闭所述控制装置和阀门；

步骤(c)，测试所述气体通道中的压力，当所述气体通道中的压力在第一时间内达到第一变化率时则达到了去夹持终点。

进一步地，在步骤(b)之前还包括步骤(a)：打开所述阀门和控制装置，使得所述气体供应装置持续供应气体以对基片背面产生一个去夹持的力。

进一步地，在所述气体回路之前还串联有一个压力测试计，其用以测试所述气体通道中的压力。

进一步地，所述等离子体处理腔室还包括若干个升举顶针，其可移动地设置于所述基台之中，其中，在所述步骤(c)之后还包括步骤(d)，提升所述若干个升举顶针以施加一个升举力至基片背面，使得其提升至超过所述静电夹盘。

进一步地，所述等离子体处理腔室还包括一驱动装置，其用以驱动所述升举顶针移动。

进一步地，所述驱动装置包括气缸或电机。

进一步地，所述等离子体处理腔室的腔室侧壁上还设置有一个传输窗口，所述腔室外部还设置有一机械手，其中，所述步骤(d)之后还包括步骤(e)：所述机械手通过所述传输窗口伸入腔室内部，并移动至所述基片上方。

进一步地，在所述步骤(e)之后还包括步骤(f)：装载所述基片至所述机械手，所述机械手将基片通过所述传输门传输出腔室。

进一步地，所述第一时间的取值范围是1秒至3秒。

进一步地，所述第一变化率的取值范围为30%以上。

进一步地，所述方法还包括如下步骤：根据所述气体通道中所需的气体流量和/或流速来确定所述限流孔的孔径。

本发明提供的去夹持终点测试机制更加精确可靠。

附图说明

图1是现有技术的用于等离子体处理腔室的气体供应系统的结构示意图；

图2是根据本发明的一个具体实施例的用于等离子体处理腔室的气体供应系统的结构示意图；

图3是根据本发明的一个具体实施例的用于等离子体处理腔室的测试基片去夹持终点方法的步骤流程图;

图4是现有技术和本发明的技术效果对比图。

具体实施方式

以下结合附图，对本发明的具体实施方式进行说明。

图1是现有技术的用于等离子体处理腔室的气体供应系统的结构示意图。如图1所示，等离子体腔室100中通入制程气体，制程气体由于通入了射频能量而被激发产生等离子体，以对放置于静电夹盘102上的基片101进行相关制程，例如刻蚀和沉积等。现有技术提供的供气系统包括若干气体通道103，气体通道103进一步地依次串联有控制装置105和气体供应装置106。其中，供气装置106用于持续供应气体。在控制装置105上游还设置了一个阀门107。