[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201310068864.2 | 申请日: | 2013-03-05 |
公开(公告)号: | CN103578564B | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 金荣柱;辛尚勋 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C29/12 | 分类号: | G11C29/12 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人: | 俞波,石卓琼 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种包括存储器芯片的半导体装置,所述存储器芯片包括:
存储器区;
数据输入/输出模块,所述数据输入/输出模块被配置成与所述存储器区通信;以及
数据传送/接收模块,所述数据传送/接收模块被配置成将多个通道和焊盘中的一个与所述数据输入/输出模块连接,
其中,所述多个通道被配置成将正常数据输入到另一个芯片和从另一个芯片输出正常数据,并且所述焊盘被配置成输入和输出测试数据。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述数据传送/接收模块包括:
路径选择单元,所述路径选择单元被配置成选择所述多个通道和所述焊盘中的一个作为数据路径;以及
数据传送/接收单元,所述数据传送/接收单元被配置成将经由所述路径选择单元输入的数据输出到所述数据输入/输出模块,或者将从所述数据输入/输出模块中输入的数据输出到所述路径选择单元。
3.如权利要求2所述的半导体装置,其中,所述路径选择单元包括开关,所述开关响应于控制信号而与所述焊盘和所述多个通道中的一个连接。
4.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述存储器区包括多个存储矩阵和存储体。
5.一种包括存储器芯片的半导体装置,所述存储器芯片包括:
焊盘,所述焊盘被配置成输入和输出测试数据;
多个通道,所述多个通道被配置成当所述存储器芯片与另一个芯片层叠时输入和输出正常数据,而当所述存储器芯片不与另一个芯片层叠时被浮置;
数据传送和接收模块,所述数据传送和接收模块被配置成在测试操作期间从所述焊盘接收所述测试数据,而在正常操作期间经由所述多个通道接收所述正常数据;以及
数据输入/输出模块,所述数据输入/输出模块被配置成接收从所述数据传送/接收模块传送来的数据,并且与存储器区通信。
6.如权利要求5所述的半导体装置,其中,所述数据传送/接收模块包括:
路径选择单元,所述路径选择单元被配置成在所述测试操作期间选择所述焊盘作为数据路径,而在所述正常操作期间选择所述多个通道作为数据路径;以及
数据传送/接收单元,所述数据传送/接收单元被配置成将经由所述路径选择单元输入的数据输出到所述数据输入/输出模块。
7.如权利要求6所述的半导体装置,其中,所述路径选择单元包括开关,所述开关响应于控制信号而与所述焊盘和所述多个通道中的一个连接。
8.一种包括存储器芯片的半导体装置,所述存储器芯片包括:
数据输入/输出模块,所述数据输入/输出模块被配置成与存储器区通信;
数据传送/接收单元,所述数据传送/接收单元被配置成经由所述数据传送/接收单元的一个端部与所述数据输入/输出模块通信;以及
路径选择单元,所述路径选择单元被配置成响应于控制信号,而选择性地将所述数据传送/接收单元的另一个端部与焊盘和多个通道中的一个耦接。
9.如权利要求8所述的半导体装置,其中,所述焊盘在测试操作期间输入和输出测试数据。
10.如权利要求8所述的半导体装置,其中,所述多个通道在正常操作期间,从另一个芯片接收数据,或者将所述存储器芯片的数据传送到另一个芯片。
11.如权利要求10所述的半导体装置,其中,所述存储器芯片与所述另一个芯片层叠,并且经由通孔与所述另一个芯片电连接。
12.如权利要求8所述的半导体装置,其中,所述数据输入/输出模块包括写入驱动器和读取感测放大器。
13.如权利要求8所述的半导体装置,其中,所述数据传送/接收单元包括接收器和传送器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310068864.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。