[发明专利]非易失性半导体储存装置有效
申请号: | 201310069188.0 | 申请日: | 2013-03-05 |
公开(公告)号: | CN103310844B | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 山崎太郎 | 申请(专利权)人: | 精工半导体有限公司 |
主分类号: | G11C16/30 | 分类号: | G11C16/30 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 何欣亭,李浩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非易失性 半导体 储存 装置 | ||
1.一种非易失性半导体储存装置,具有升压电路,其特征在于,
所述升压电路包括升压部、振荡电路、定时产生电路、控制时钟产生电路和电流负载电路,
所述定时产生电路,其输入端子连接于所述控制时钟产生电路的输出端子,其输出端子连接于所述升压部的第一输入端子、所述振荡电路的输入端子和所述电流负载电路的输入端子,
所述升压部,其第二输入端子连接于所述振荡电路的输出端子,其输出端子连接于所述电流负载电路的输出端子,
所述电流负载电路接收从所述定时产生电路产生的定时信号的上升,从所述升压部的输出端子引出负载电流,限制所述升压电路的驱动力,并且接收所述定时信号的下降而停止,停止所述升压电路的驱动力的限制。
2.如权利要求1所述的非易失性半导体储存装置,其特征在于,所述电流负载电路在存储器单元的擦除或者写入时停止动作。
3.如权利要求2所述的非易失性半导体储存装置,其特征在于,所述电流负载电路在所述存储器单元的擦除或者写入时的动作开始前,电流负载阶段式减少。
4.如权利要求1至3的任意1项所述的非易失性半导体储存装置,其特征在于,所述电流负载电路根据来自命令译码电路的信号,增减提供给所述升压部的输出端子的电流负载。
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