[发明专利]一种晶圆结构以及应用其的功率器件有效
| 申请号： | 201310069766.0 | 申请日： | 2013-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN103199104A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 廖忠平 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 以及 应用 功率 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆结构，其特征在于，包括：
高浓度掺杂的第一掺杂层；
依次位于所述第一掺杂层上的第二掺杂层和第三掺杂层；其中，所述第三掺杂层的掺杂浓度小于所述第二掺杂层或为本征掺杂。
2.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述第二掺杂层的掺杂浓度为均匀分布或梯度分布。
3.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述第二掺杂层的杂质类型与所述第一掺杂层的杂质类型相同或相反。
4.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述第二掺杂层和第三掺杂层在所述第一掺杂层上依次外延生长形成。
5.一种功率器件，其特征在于，包括权利要求1-4所述的任一晶圆结构。
6.根据权利要求5所述的功率器件，其特征在于，所述功率器件为金属氧化层半导体场效晶体管（MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）或二极管。
7.根据权利要求6所述的功率器件，其特征在于，所述金属氧化层半导体场效晶体管（MOSFET）为纵向超结金属氧化物场效应晶体管或垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管。
8.根据权利要求7所述的功率器件，其特征在于，所述纵向超结金属氧化物场效应晶体管由沟槽填充工艺制造。
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