[发明专利]发光装置、图像形成装置、显示装置和成像装置有效
申请号: | 201310069804.2 | 申请日: | 2013-03-06 |
公开(公告)号: | CN103311268A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 柿沼伸明;三浦圣志;石毛刚一;佐藤信彦 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 魏小薇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 图像 形成 显示装置 成像 | ||
1.一种发光装置,该发光装置包括在绝缘层上形成的多个有机EL元件,其中:
所述多个有机EL元件中的每一个包含依次在绝缘层上形成的第一电极、第一电荷传输层、发光层、第二电荷传输层和第二电极;
第一电极是对于所述多个有机EL元件中的每一个形成的;
第一电荷传输层、发光层、第二电荷传输层和第二电极是对于所述多个有机EL元件共同形成的;
绝缘层中设置有至少沿第一电极的边缘的沟槽;
沟槽的深度大于第一电荷传输层的厚度;以及
沟槽的深度和第一电极的厚度的和小于第一电荷传输层、发光层和第二电荷传输层的厚度的和。
2.根据权利要求1的发光装置,其中,绝缘层包含玻璃、硅晶片和树脂中的一种。
3.根据权利要求1的发光装置,其中,沟槽是倒锥形的。
4.根据权利要求1的发光装置,其中,在形成沟槽所沿的边缘处,第一电极的侧表面从绝缘层的侧表面向外突出。
5.根据权利要求1的发光装置,其中,在形成沟槽所沿的边缘处,第一电极的侧表面和绝缘层的侧表面彼此连续。
6.一种图像形成装置,包括:
根据权利要求1的发光装置;
感光部件,要在所述感光部件上通过发光装置形成潜像;以及
带电单元,用于使感光部件带电。
7.一种显示装置,该显示装置包括在绝缘层上形成的具有不同发光颜色的多个有机EL元件,其中:
所述多个有机EL元件中的每一个包含依次在绝缘层上形成的第一电极、第一电荷传输层、发光层、第二电荷传输层和第二电极;
第一电极是对于所述多个有机EL元件中的每一个形成的;
第一电荷传输层、发光层、第二电荷传输层和第二电极是对于所述多个有机EL元件共同形成的;
绝缘层中设置有至少沿第一电极的边缘的沟槽;
沟槽的深度大于第一电荷传输层的厚度;以及
沟槽的深度和第一电极的厚度的和小于第一电荷传输层、发光层和第二电荷传输层的厚度的和。
8.根据权利要求7的显示装置,其中,所述多个有机EL元件中的每一个包含滤色片。
9.根据权利要求7的显示装置,其中,绝缘层包含玻璃、硅晶片和树脂中的一种。
10.根据权利要求7的显示装置,其中,沟槽是倒锥形的。
11.根据权利要求7的显示装置,其中,在形成沟槽所沿的边缘处,第一电极的侧表面从绝缘层的侧表面向外突出。
12.根据权利要求7的显示装置,其中,在形成沟槽所沿的边缘处,第一电极的侧表面和绝缘层的侧表面彼此连续。
13.一种成像装置,包括:
根据权利要求7的显示装置;以及
成像器件。
14.一种显示装置,该显示装置包括在绝缘层上形成的具有不同发光颜色的多个有机EL元件,其中:
所述多个有机EL元件中的每一个包含依次在绝缘层上形成的第一电极、第一电荷传输层、发光层、与发光层对应的第二电荷传输层以及第二电极;
第一电极是对于所述多个有机EL元件中的每一个形成的;
第一电荷传输层、第二电荷传输层和第二电极是对于所述多个有机EL元件共同形成的;
第一电荷传输层被形成为具有取决于所述多个有机EL元件中的每一个有机EL元件的发光颜色而改变的厚度;
绝缘层中设置有至少沿第一电极的边缘的沟槽;
沟槽的深度大于所述多个有机EL元件中所包含的第一电荷传输层的最小厚度;以及
沟槽的深度和第一电极的厚度的和小于所述多个有机EL元件中的第一电荷传输层、发光层和第二电荷传输层的厚度的最小的和。
15.根据权利要求14的显示装置,其中,所述多个有机EL元件中的每一个包含滤色片。
16.根据权利要求14的显示装置,其中,绝缘层包含玻璃、硅晶片和树脂中的一种。
17.根据权利要求14的显示装置,其中,沟槽是倒锥形的。
18.根据权利要求14的显示装置,其中,在形成沟槽所沿的边缘处,第一电极的侧表面从绝缘层的侧表面向外突出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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