[发明专利]发光装置、图像形成装置、显示装置和成像装置有效
申请号: | 201310069804.2 | 申请日: | 2013-03-06 |
公开(公告)号: | CN103311268A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 柿沼伸明;三浦圣志;石毛刚一;佐藤信彦 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 魏小薇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 图像 形成 显示装置 成像 | ||
技术领域
本发明涉及使用有机电致发光(EL)元件的发光装置。
背景技术
在使用有机EL元件的发光装置中,通过依次在基板上形成多个第一电极、由包含发光层的多种有机材料形成的膜以及第二电极,形成像素。通过在第一电极与第二电极之间施加电压,从各电极注入电荷,并且,在发光层中生成空穴-电子再结合以发光。一般地,多个第一电极以相互电气独立的状态在基板上被形成,并且,第二电极被形成为覆盖多个第一电极。通过以这种方式将第一电极设置为相互电气独立,可以使任意选择的位置发光。
但是,随着近年来的发光装置中的像素数量增加,紧密布置的相邻像素之间的泄漏电流的问题变得明显。日本专利申请特开No.2009-277590提出通过使用用于分开像素的锥形(tapered shape)的绝缘膜来抑制相邻像素之间的这种泄漏电流的方法。
但是,在上述的使用用于分开像素的绝缘膜来抑制泄漏电流的方法中,必须形成用于分开像素的绝缘膜,这不适于更高分辨率的像素。
发明内容
本发明的一个目的是提供在不使用用于分开像素的绝缘膜的情况下抑制相邻像素之间的泄漏电流并且提供更高的分辨率的发光装置。
根据本发明的第一方面,提供一种发光装置,该发光装置包括在绝缘层上形成的多个有机EL元件,其中:所述多个有机EL元件中的每一个包含依次在绝缘层上形成的第一电极、第一电荷传输层、发光层、第二电荷传输层以及第二电极;第一电极是对于所述多个有机EL元件中的每一个形成的,第一电荷传输层、发光层、第二电荷传输层和第二电极是对于所述多个有机EL元件共同形成的,绝缘层中设置有至少沿第一电极的边缘的沟槽;沟槽的深度大于第一电荷传输层的厚度;并且,沟槽的深度和第一电极的厚度的和小于第一电荷传输层、发光层和第二电荷传输层的厚度的和。
根据本发明的第二方面,提供一种显示装置,该显示装置包括在绝缘层上形成的具有不同发光颜色的多个有机EL元件,其中:所述多个有机EL元件中的每一个包含依次在绝缘层上形成的第一电极、第一电荷传输层、发光层、与发光层对应的第二电荷传输层以及第二电极;第一电极是对于所述多个有机EL元件中的每一个形成的,第一电荷传输层、第二电荷传输层和第二电极是对于所述多个有机EL元件共同形成的;第一电荷传输层被形成为具有取决于所述多个有机EL元件中的每一个有机EL元件的发光颜色而改变的厚度;绝缘层中设置有至少沿第一电极的边缘的沟槽;沟槽的深度大于第一电荷传输层的最小厚度;并且,沟槽的深度和第一电极的厚度的和小于第一电荷传输层、发光层和第二电荷传输层的厚度的最小的和。
根据本发明,通过沿第一电极的边缘在绝缘层中设置沟槽,可以在第一电极的侧表面处以及在绝缘层中的沟槽的侧表面处减小第一电荷传输层的厚度,并且可有效地抑制相邻像素之间的泄漏电流。
参照附图阅读示例性实施例的以下描述,本发明的其它特征将变得清晰。
附图说明
图1是示意性地示出本发明的第一实施例的结构的截面图。
图2是图1所示的实施例的部分放大图。
图3是示意性地示出本发明的第二实施例的结构的截面图。
图4是示意性地示出本发明的另一实施例的结构的截面图。
具体实施方式
以下参照附图描述本发明的实施例,但是,本发明不限于这些实施例。注意,本领域中的众所周知或公知的技术适用于没有在这里特别图示或描述的部分。
(第一实施例)
图1是示意性地示出根据本发明的第一实施例的发光装置的两个像素(有机EL元件)的结构的截面图。
本发明涉及在绝缘层上包括多个有机EL元件的发光装置。在本实施例中,有机EL元件包含依次在绝缘层1上形成的第一电极2、第一电荷传输层3、发光层4、第二电荷传输层5和第二电极6。第一电极2是对于每个有机EL元件形成的,并且,第一电荷传输层3、发光层4、第二电荷传输层5和第二电极6是对于多个有机EL元件共同形成的。
在本实施例中,绝缘层1由玻璃、硅晶片或树脂等形成。晶体管等可以在绝缘层1的下部中形成,以控制第一电极2的电信号。
第一电极2由铝、银、铬、钛、钴、镍、钼、钨、铟或铂等的金属单质、合金或氧化物形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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