[发明专利]电阻式存储器及其存储单元

权利要求书

1.一种电阻式存储单元，包括：

一基底；

一第一掺杂区，配置在该基底中；

一第二掺杂区，配置在该基底中；

一栅极，配置在基底上，并覆盖部份该第一掺杂区及部分该第二掺杂区，该栅极为一浮动栅极，

其中，该第一掺杂区及该第二掺杂区分别接收一第一参考电压及一第二参考电压，且该第一掺杂区及该第二掺杂区与该栅极的重叠区域分别依据该第一参考电压及该第二参考电压的一电压差提供不相同的一第一阻抗值以及一第二阻抗值。

2.如权利要求1所述电阻式存储单元，其中当该电压差的绝对值小于一重置电压值时，该第一掺杂区与该栅极的重叠区域提供的该第一阻抗值等于一高阻抗值，当该电压差的绝对值递增为不小于该重置电压值时，该第一掺杂区与该栅极的重叠区域提供的该第一阻抗值变更为一低阻抗值，

其中，该高阻抗值大于该低阻抗值。

3.如权利要求2所述电阻式存储单元，其中当该电压差的绝对值小于一设定电压值时，该第二掺杂区与该栅极的重叠区域提供的该第二阻抗值等于该低阻抗值，当该电压差的绝对值递增为不小于该设定电压值时，该第二掺杂区与该栅极的重叠区域提供的该第二阻抗值变更为该高阻抗值。

4.如权利要求3所述电阻式存储单元，其中该重置电压值等于该设定电压值。

5.如权利要求1所述电阻式存储单元，其中该第一掺杂区为漏极及源极的其中之一，该第二掺杂区为漏极及源极的另一个。

6.一种电阻式存储器，包括：

多数个电阻式存储单元，依据一阵列方式进行排列以形成多数个存储行以及多数个存储列，其中各该电阻式存储单元包括：

一基底；

一第一掺杂区，配置在该基底中；

一第二掺杂区，配置在该基底中；

一栅极，配置在基底上，并覆盖部份该第一掺杂区及部分该第二掺杂区，该栅极为一浮动栅极，

其中，该第一掺杂区及该第二掺杂区分别接收一第一参考电压及一第二参考电压，且该第一掺杂区及该第二掺杂区与栅极的重叠区域分别依据该第一参考电压及该第二参考电压的一电压差分别提供不相同的一第一阻抗值以及一第二阻抗值；以及

多数条位线以及字线，所述多个位线分别耦接至所述多个存储行的电阻式存储单元，所述多个字线分别耦接至所述多个存储列的电阻式存储单元。

7.如权利要求6所述电阻式存储器，其中当该电压差的绝对值小于一重置电压值时，该第一掺杂区与该栅极的重叠区域提供的该第一阻抗值等于一高阻抗值，当该电压差的绝对值递增为不小于该重置电压值时，该第一掺杂区与该栅极的重叠区域提供的该第一阻抗值变更为一低阻抗值，

其中，该高阻抗值大于该低阻抗值。

8.如权利要求7所述电阻式存储器，其中当该电压差的绝对值小于一设定电压值时，该第二掺杂区与该栅极的重叠区域提供的该第二阻抗值等于该低阻抗值，当该电压差的绝对值递增为不小于该设定电压值时，该第二掺杂区与该栅极的重叠区域提供的该第二阻抗值变更为该高阻抗值。

9.如权利要求8所述电阻式存储器，其中该重置电压值等于该设定电压值。

10.如权利要求1所述电阻式存储器，其中该第一掺杂区为漏极及源极的其中之一，其中该第二掺杂区为漏极及源极的另一个。