[发明专利]切割/芯片接合薄膜

权利要求书

1.一种切割/芯片接合薄膜，

其具备第一粘合剂层和第二粘合剂层，

该第一粘合剂层包含聚烯烃系树脂，

该第二粘合剂层包含选自丙烯酸系树脂、环氧系树脂和酚醛系树脂中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其中，所述第一粘合剂层为压敏型。

3.根据权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其中，所述第一粘合剂层包含非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的切割/芯片接合薄膜，其中，所述第一粘合剂层不含丙烯酸系树脂。

5.根据权利要求1～3中的任一项所述的切割/芯片接合薄膜，其中，所述第一粘合剂层实质上不含F^-、Cl^-、Br^-、NO₂^-、NO₃^-、SO₄^2-、Li⁺、Na⁺、K⁺、Mg²⁺、Ca²⁺和NH₄⁺。

6.根据权利要求1～3中的任一项所述的切割/芯片接合薄膜，其中，在测定温度23℃、拉伸速度300mm/分钟、剥离角度180度的条件下、从所述第一粘合剂层剥离所述第二粘合剂层时的剥离力为0.02N/20mm～0.4N/20mm。

7.根据权利要求1～3中的任一项所述的切割/芯片接合薄膜，其中，在所述第一粘合剂层的与所述第二粘合剂层相反的一侧还具备基材层。

8.根据权利要求7所述的切割/芯片接合薄膜，其中，包含所述基材层和所述第一粘合剂层的层叠体是共挤出成形而得到的。

9.一种半导体装置，其是使用权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜制造的。