[发明专利]切割/芯片接合薄膜

说明书

技术领域

本发明涉及切割/芯片接合薄膜。

背景技术

由硅、镓、砷等形成的半导体晶圆以大直径的状态被制造，在表面上形成图案之后，将背面磨削，通常将半导体晶圆的厚度减薄至100～600μm左右，进而，保持在粘合薄膜上而切断分离成半导体芯片(切割工序)。接着，半导体芯片被固着到引线框等被粘物(固定工序)后，移送至接合工序。近年来，为了工序的简化、对半导体芯片的损伤的减少等，使用将在切割工序中保持半导体晶圆的粘合薄膜(切割薄膜)和在固定工序中固着半导体芯片的粘合薄膜(芯片接合薄膜)一体化而成的切割/芯片接合薄膜(例如专利文献1)。这种切割/芯片接合薄膜通常具备：在基材薄膜上具有丙烯酸系粘合剂层的切割薄膜、和配置在该丙烯酸系粘合剂层上的芯片接合薄膜。

另一方面，在切割工序中的切割和切割工序后的拾取中，为了防止半导体芯片的损伤，切割/芯片接合薄膜要求适度的粘合力、即能够兼顾粘合性(可切割的粘合性)和剥离性(可拾取的剥离性)的粘合力。而且，伴随着近年来的半导体芯片的薄型化，更严格地控制粘合力成为必需。另外，对于存储系半导体装置，在SSD(Solid State Drive)等的要求更高品质·高可靠性的封装中，芯片接合薄膜作为结构材料的可靠性和清洁性的提高成为必需。

上述切割/芯片接合薄膜通过切割薄膜的丙烯酸系粘合剂层，能够控制切割薄膜和芯片接合薄膜的粘合力，在切割工序中能够保持半导体晶圆，在切割工序后能够拾取半导体芯片。但是，另一方面，由于通常包含丙烯酸系树脂作为芯片接合薄膜的材料，因此切割薄膜的粘合剂层和芯片接合薄膜的形成材料的相容性高，产生各种问题。作为问题之一，存在切割薄膜/芯片接合薄膜之间产生成分迁移、作为芯片接合薄膜的结构材料的特性恶化的问题。另外，切割薄膜的粘合剂层中包含杂质离子时，杂质离子向芯片接合薄膜迁移，最终使半导体装置的可靠性恶化。进而，存在芯片接合薄膜对切割薄膜的剥离性不充分的问题。

作为解决这种问题的方法，可列举出：在切割薄膜的粘合剂层中使用与丙烯酸系树脂的相容性低的粘合剂。但是，这种粘合剂难以控制粘合力。尚未实现解决上述成分迁移的问题、并且切割薄膜/芯片接合薄膜之间具有适度的粘合力的切割/芯片接合薄膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-124141号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明是为了解决上述现有问题而成的，其目的在于，提供一种切割薄膜与芯片接合薄膜之间的成分迁移受到抑制、并且切割时的半导体晶圆保持力和拾取时的剥离性优异的切割/芯片接合薄膜。

用于解决问题的方案

本发明的切割/芯片接合薄膜具备第一粘合剂层和第二粘合剂层，该第一粘合剂层包含聚烯烃系树脂，该第二粘合剂层包含选自丙烯酸系树脂、环氧系树脂和酚醛系树脂中的至少一种。

在优选的实施方式中，上述第一粘合剂层为压敏型。

在优选的实施方式中，上述第一粘合剂层包含非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物。

在优选的实施方式中，上述第一粘合剂层不含丙烯酸系树脂。

在优选的实施方式中，上述第一粘合剂层实质上不含F^-、Cl^-、Br^-、NO₂^-、NO₃^-、SO₄^2-、Li⁺、Na⁺、K⁺、Mg²⁺、Ca²⁺和NH₄⁺。

在优选的实施方式中，在测定温度23℃、拉伸速度300mm/分钟、剥离角度180度的条件下、从上述第一粘合剂层剥离上述第二粘合剂层时的剥离力为0.02N/20mm～0.4N/20mm。

在优选的实施方式中，切割/芯片接合薄膜在上述第一粘合剂层的与第二粘合剂层相反的一侧还具备基材层。

在优选的实施方式中，包含上述基材层和上述第一粘合剂层的层叠体是共挤出成形而得到的。

在本发明的另一方案中，提供一种半导体装置。该半导体装置是使用上述切割/芯片接合薄膜而制造的。

发明的效果