[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，该半导体衬底具有主表面且还具有在其内部区域中的p型区域；以及在所述半导体衬底上/中的高击穿电压p沟道型晶体管，

其中，所述高击穿电压p沟道型晶体管包括：布置在所述半导体衬底中且在所述p型区域的主表面侧的第一n型半导体层；形成在所述p型区域之上且在所述主表面中以引出漏极电极的第一p型掺杂剂区域；形成在所述p型区域之上且在所述主表面中以引出源极电极的第二p型掺杂剂区域；以及布置在所述第一p型掺杂剂区域正下方以接触所述第一n型半导体层的局部n型掩埋区域，

其中所述第一p型掺杂剂区域包括p型掺杂剂区域和围绕所述p型掺杂剂区域的侧面和底部形成的p型漂移层。

2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述半导体衬底上/中的高击穿电压n沟道型晶体管，其中，所述高击穿电压n沟道型晶体管包括：第二n型半导体层，作为与所述高击穿电压p沟道型晶体管的第一n型半导体层相同的层。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述局部n型掩埋区域位于所述第一p型掺杂剂区域下面，以使得二者的外周在平面图中观察时彼此一致，从而具有与所述第一p型掺杂剂区域相同的二维形状。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述半导体衬底上/中不仅形成所述高击穿电压p沟道型晶体管，而且还形成与所述高击穿电压p沟道型晶体管等效的一个或多个高击穿电压p沟道型晶体管；这些p沟道型晶体管中的每个都包括形成在所述主表面中以围绕晶体管的第二掺杂剂区域的n型阱区域；晶体管的所述局部n型掩埋区域实现布置为在沿所述主表面的方向上跨过晶体管的所述第一p型掺杂剂区域彼此相对的所述n型阱区域的部分或区段之间的连接。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述局部n型掩埋区域存在得比所述第一n型半导体层更靠近所述主表面。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述局部n型掩埋区域出现在所述第一n型半导体层内。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述局部n型掩埋区域出现得比所述第一n型半导体层更靠近所述p型区域。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中，通过离子注入法形成所述局部n型掩埋区域。

9.一种用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，具有主表面且还具有在其内部区域中的p型区域；以及在所述半导体衬底上/中的高击穿电压p沟道型晶体管，

其中，形成所述高击穿电压p沟道型晶体管的步骤包括：

制备所述半导体器件，所述半导体器件包括所述半导体衬底，所述半导体衬底具有主表面且还具有在其内部区域中的所述p型区域；

在所述半导体衬底内且在所述p型区域的主表面侧形成第一n型半导体层；

在所述p型区域之上且在该主表面中/上形成用于引出漏极电极的第一p型掺杂剂区域；

在所述p型区域之上且在所述主表面中/上形成用于引出源极电极的第二p型区域；以及

在所述第一p型掺杂剂区域正下方形成局部n型掩埋区域以接触所述第一n型半导体层，

其中，相同掩模用于进行形成所述第一p型掺杂剂区域的步骤和形成所述局部n型掩埋区域的步骤，

其中所述第一p型掺杂剂区域包括p型掺杂剂区域和围绕所述p型掺杂剂区域的侧面和底部形成的p型漂移层。

10.如权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其中，所述半导体衬底还包括高击穿电压n沟道型晶体管，所述高击穿电压n沟道型晶体管包括作为与所述高击穿电压p沟道型晶体管的第一n型半导体层相同的层的第二n型半导体层，形成所述高击穿电压n沟道型晶体管的第二n型半导体层的步骤与形成所述高击穿电压p沟道型晶体管的第一n型半导体层的步骤同时执行。

11.如权利要求10所述的制造半导体器件的方法，其中，通过离子注入法形成所述局部n型掩埋区域。