[发明专利]一种减少门效应的等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201310077322.1 | 申请日： | 2013-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN104051210A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 徐骅;徐朝阳 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/30 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减少 效应 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种减少门效应的等离子体处理装置，包括：
引入有反应气体的真空处理腔室；所述真空处理腔室侧壁设置一门开口；相对设置于所述真空处理腔室内的上电极和下电极，所述下电极上放置有被处理的基片，所述上电极同时作为反应气体注入的喷淋头，所述喷淋头周围环绕设置一可上下移动的升降环；
其特征在于：所述升降环靠近所述真空处理腔室侧壁一侧设置一接地的金属挡片，所述升降环处于降下状态时，所述金属挡片遮挡所述真空处理腔室侧壁的门开口。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述的升降环为绝缘材料，所述的升降环与所述喷淋头之间设置一接地环，所述升降环相对于所述接地环上升或下降。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述金属挡片的形状、大小与所述真空处理腔室侧壁门开口的形状、大小相同。
4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述金属挡片的形状为环形，所述环形金属挡片环绕设置于所述升降环靠近所述真空处理腔室侧壁的一侧，所述环形金属挡片的高度大于等于所述真空处理腔室侧壁门开口的高度。
5.根据权利要求3或4所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述升降环靠近所述真空处理腔室侧壁的一侧表面设置有凹槽，所述金属挡片置于所述凹槽内，与所述升降环之间固定衔接。
6.根据权利要求3或4所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述金属挡片通过螺钉与所述升降环固定。
7.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述升降环上方设置一气缸，控制所述升降环上下移动。
8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述气缸为接地的金属材料，所述金属挡片通过导线和所述气缸相连。
9.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述金属挡片材质为表面进行阳极化处理的铝。
10.根据权利要求3或4所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述金属挡片与所述真空处理腔室侧壁的距离大于0小于10mm。
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