[发明专利]一种减少门效应的等离子体处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体基片处理技术领域，尤其涉及一种均匀处理基片的等离子体处理装置。

背景技术

半导体制造技术领域中，经常需要在基片上构图刻蚀形成孔洞或沟槽，现有技术中，通常都是采用干法的RIE刻蚀技术。干法刻蚀通常在一等离子体刻蚀装置内进行，该等离子体刻蚀装置至少包括一处理腔室，刻蚀开始前，首先将待处理基片通过处理腔室侧壁上的一个门开口放置到处理腔室内部的基片支撑架上，在处理腔室内通入反应气体，所述反应气体在处理腔室内部电磁场的作用下解离为等离子体、自由基等能对基片进行物理作用或化学作用的粒子。当刻蚀反应完成后，再将基片通过处理腔室侧壁上的门开口取出并放入新的待处理基片，如此反复进行操作。

处理腔室内的电磁场能够将通入处理腔室内的反应气体电离产生等离子体，电磁场强度能否均匀分布决定等离子体在处理腔室室中能否均匀分布，从而决定待处理基片能否处理均匀，故电磁场在处理腔室内的均匀分布是决定被处理基片加工能否均匀的关键因素。理想情况下，所述处理腔室侧壁为圆柱形，处理腔室内的电磁场均匀分布，然而，由于处理腔室侧壁上设置一门开口，导致处理腔室此处电场分布不均匀，从而影响基片的加工均匀性。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供了一种减少门效应的等离子体处理装置，包括：引入有反应气体的真空处理腔室；所述真空处理腔室侧壁设置一门开口；

相对设置于所述真空处理腔室内的上电极和下电极，所述下电极上放置有被处理的基片，所述上电极同时作为反应气体注入的喷淋头，所述喷淋头周围环绕设置一可上下移动的升降环；

所述升降环靠近所述真空处理腔室侧壁一侧设置一接地的金属挡片，所述升降环处于降下状态时，所述金属挡片遮挡所述真空处理腔室侧壁的门开口。

优选的，所述的升降环为绝缘材料，所述的升降环与所述喷淋头之间设置一接地环，所述升降环相对于所述接地环上升或下降。

优选的，所述金属挡片的形状、大小与所述真空处理腔室侧壁门开口的形状、大小相同。

优选的，所述金属挡片的形状为环形，所述环形金属挡片环绕设置于所述升降环靠近所述真空处理腔室侧壁的一侧，所述环形金属挡片的高度大于等于所述真空处理腔室侧壁门开口的高度。

优选的，所述升降环靠近所述真空处理腔室侧壁的一侧表面设置有凹槽，所述金属挡片置于所述凹槽内，与所述升降环之间固定衔接。

优选的，所述金属挡片通过螺钉与所述升降环固定。

优选的，所述升降环上方设置一气缸，控制所述升降环上下移动。

优选的，所述气缸为接地的金属材料，，所述金属挡片通过导线和所述气缸相连。

优选的，所述金属挡片材质为表面进行阳极化处理的铝。

优选的，所述金属挡片与所述真空处理腔室侧壁的距离范围为0.1mm-10mm。

本发明的优点：本发明在等离子体处理腔室内设置一可上下移动的升降环，通过在升降环靠近处理腔室侧壁的一侧固定设置一金属挡片，优选与处理腔室侧壁材料相同的铝质金属挡片，使得所述金属挡片随着升降环降下时能遮挡处理腔室侧壁的门开口，从而能够解决处理腔室侧壁的门开口使得处理腔室内的电场分布不均匀的技术问题。本发明公开的技术方案，结构简单，在现有升降环的基础上，通过螺钉或在升降环靠近处理腔室侧壁的一侧切割出一嵌合所述金属挡片的沟槽的方式将升降环和所述金属挡片固定连接，结构简单，能有效的调节门开口处的电场分布，从而有效调节处理腔室内的电场均匀分布。

附图说明

图1示出本发明所述等离子体处理腔室的升降环处于升起状态的结构示意图；

图2示出本发明所述等离子体处理腔室的升降环处于降下状态的结构示意图；

图3示出另一种实施例的等离子体处理腔室的升降环处于降下状态的结构示意图。

具体实施方式