[发明专利]多阵列超声波探头设备及其制造方法和装置有效
申请号: | 201310077389.5 | 申请日: | 2013-03-12 |
公开(公告)号: | CN103300882A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 金永一;金东郁;金培滢;宋宗根;李承宪;赵庚一 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | A61B8/00 | 分类号: | A61B8/00 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 超声波 探头 设备 及其 制造 方法 装置 | ||
1.一种多阵列超声波探头设备,所述多阵列超声波探头设备包括:
n个块,发射和接收超声波束;以及
基底,包括n个引导部分,所述n个块分别安装在所述n个引导部分上以按多阵列排列。
2.如权利要求1所述的多阵列超声波探头设备,其中,基底还包括:
n个粘附部分,设置在所述n个引导部分的下面并且包括使所述n个块附于基底的粘附材料。
3.如权利要求2所述的多阵列超声波探头设备,其中,基底还包括:
n个出口,将在将所述n个块安装在所述n个引导部分上时的多余的粘附材料排放到基底的外部。
4.如权利要求2所述的多阵列超声波探头设备,其中,所述n个引导部分的宽度比对应的n个粘附部分的宽度宽。
5.如权利要求2所述的多阵列超声波探头设备,其中,所述n个引导部分均具有相同的高度,
所述n个粘附部分均具有相同的高度。
6.如权利要求2所述的多阵列超声波探头设备,其中:
所述n个引导部分按矩阵设置在基底上,并且在相邻的引导部分之间具有第一预定的间隙以使相邻的引导部分彼此分离;
所述n个粘附部分按矩阵设置在基底上,并且在相邻的粘附部分之间具有第二预定的间隙以使相邻的粘附部分彼此分离。
7.如权利要求1所述的多阵列超声波探头设备,其中,所述n个引导部分的宽度比所述n个块的宽度宽预定的大小。
8.如权利要求1所述的多阵列超声波探头设备,其中,所述n个块中的每个块包括:
专用集成电路,专用集成电路的下部接近于相应的粘附部分设置;
电容式微超声波传感器,附于专用集成电路的上部。
9.如权利要求1所述的多阵列超声波探头设备,其中,基底包括硅、玻璃和聚合物类材料中的一种。
10.一种制造多阵列超声波探头设备的方法,所述方法包括下述步骤:
提供包括n个引导部分的基底;
通过分别将发射和接收超声波束的n个块安装在所述n个引导部分上使所述n个块按多阵列排列。
11.如权利要求10所述的方法,其中,提供的基底还包括与所述n个引导部分的下部接近的n个粘附部分,
其中,所述n个粘附部分包括使所述n个块附于基底的粘附材料。
12.如权利要求11所述的方法,其中,提供的基底还包括用来在将所述n个块安装在所述n个引导部分上时将多余的粘附材料排放到基底的外部的n个出口。
13.如权利要求11所述的方法,其中,所述n个引导部分具有比对应的n个粘附部分的宽度宽的宽度。
14.如权利要求11所述的方法,其中,所述n个引导部分均具有相同的高度,
所述n个粘附部分均具有相同的高度。
15.如权利要求11所述的方法,其中,所述n个引导部分按矩阵设置,并且在相邻的引导部分之间具有第一预定的间隙以使相邻的引导部分彼此分离;
所述n个粘附部分按矩阵设置,并且在相邻的粘附部分之间具有第二预定的间隙以使相邻的粘附部分彼此分离。
16.如权利要求11所述的方法,其中,所述n个引导部分具有比所述n个块的宽度宽预定的大小的宽度。
17.如权利要求10所述的方法,其中,所述n个块中的每个块包括专用集成电路和附于专用集成电路的上部的电容式微超声波传感器,
排列步骤包括将专用集成电路的下部安装到相应的引导部分上。
18.如权利要求10所述的方法,其中,基底包括硅、玻璃和聚合物类材料中的一种。
19.一种装置,所述装置包括:
块的阵列,排列在基底上,以发射和接收超声波束;以及
安装部分,彼此分离地设置在基底上以使块附于基底,每个安装部分包括均使相应的块排列在基底上的引导部分,并且每个安装部分包括:第一侧,从基底的表面相对于基底的所述表面基本垂直地延伸;突出部,在距离基底的所述表面的第一高度处从第一侧相对于第一侧基本垂直地延伸,并且各相应的块安装在突出部上。
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