[发明专利]一种基于椭偏仪的纳米材料熔点的测量方法无效
申请号: | 201310077694.4 | 申请日: | 2013-03-12 |
公开(公告)号: | CN103175785A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 张冬旭;郑玉祥;陈良尧;吴康宁;张荣君;王松有;李晶;杨月梅 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | G01N21/21 | 分类号: | G01N21/21 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 椭偏仪 纳米 材料 熔点 测量方法 | ||
1.一种基于椭偏仪的纳米材料熔点的测量方法,其特征在于具体步骤为:
(1)首先,利用反射式椭偏仪测量不同温度下纳米材料的p光、s光的反射率的比值tanΨ和相位延迟Δ;
(2)然后通过测量得到椭偏参数Ψ、Δ,计算出材料的介电常数ε1、ε2以及折射率n、消光系数k;
(3)计算光学常数随温度的变化率;
(4)比较光学常数随温度的变化谱,以及变化率随温度的变化谱,通过观察其突变来确定被测纳米材料的熔点。
2.根据权利要求1所述的基于椭偏仪的纳米材料熔点的测量方法,其特征在于步骤(2)中,对于体材料,各参数通过以下公式求得:
(1)
(2)
(3)
(4)。
3.根据权利要求1所述的基于椭偏仪的纳米材料熔点的测量方法,其特征在于步骤(3)中,计算光学常数随温度变化的变化率:dΨ/dT、dΔ/dT、dn/dT、dk/dT、dε1/dT和dε2/dT。
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