[发明专利]制程处理部件、基板处理设备以及基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理设备，其包含：

一内部腔室，其中形成有一第一空间；

一第一外部腔室，其围绕该内部腔室且形成与该第一空间分离的一第二空间；

一基座，其安置于该第一空间中且用来支撑一基板；

一第一排气管路，其连接至该内部腔室且将该第一空间中的一气体排放至外部；

一制程气体供应构件，其用来向该第一空间供应一用以处理该基板的制程气体；以及

一监测模块，其安置于该第二空间中且用来监测该第一空间的一状态。

2.如权利要求1所述的基板处理设备，其中该第一外部腔室被提供为复数个，该复数个第一外部腔室安置成沿着该内部腔室的圆周彼此隔开，且该等第一外部腔室中的每一者形成该第二空间；以及

其中该监测模块被提供给该等个别第二空间。

3.如权利要求1所述的基板处理设备，其中该第一外部腔室被沿着该内部腔室的该圆周提供；以及

其中该第二空间呈现出一围绕该第一空间的环形。

4.如权利要求1所述的基板处理设备，其中该第一外部腔室包含：

一上部板，其有一端连接至该内部腔室的一侧壁；

一下部板，其安置于该上部板下方且有一端连接至该内部腔室的该侧壁；以及

一侧壁，其面向该内部腔室的该侧壁且将该上部板的另一端连接至该下部板的另一端，

其中该第二空间由以下各者的组合形成：该上部板、该下部板、该内部腔室的该侧壁以及该第一外部腔室的该侧壁。

5.如权利要求1所述的基板处理设备，其进一步包含：

一第二排气管路，其连接至该第一外部腔室且将该第二空间中的一气体排放至外部。

6.如权利要求1所述的基板处理设备，其进一步包含：

一制程套件，其安置于该第二空间中且用来控制一基板处理制程。

7.如权利要求1所述的基板处理设备，其中该监测模块包含：

一第一监测传感器，其固定地安装于该内部腔室的该侧壁上、有一部分曝露于该第一空间，且用来量测该第一空间的一状态变化；以及

一第二监测传感器，其安置于该第二空间中且用来量测该第二空间的一压力变化。

8.如权利要求7所述的基板处理设备，其中该第一监测传感器量测该第一空间中以下各者中的至少一者：一温度变化、一压力变化、一电场的一量值变化及一制程气体的一密度变化。

9.如权利要求7所述的基板处理设备，其中该制程气体供应构件包含：

一制程气体供应管路，其安置于该第二空间中、连接至该内部腔室的该侧壁，且向该第一空间供应一制程气体。

10.如权利要求9所述的基板处理设备，其中该制程气体供应构件进一步包含：

一产生器，其安装于该制程气体供应管路上且用来将一制程气体激发成一电浆状态。

11.如权利要求1所述的基板处理设备，其进一步包含：

一第二外部腔室，其在该第一外部腔室外部围绕该第一外部腔室，且形成与该第二空间分离的一第三空间；以及

一第三排气管路，其连接至该第二外部腔室且将该第三空间中的一气体排放至外部。

12.如权利要求11所述的基板处理设备，其进一步包含：

一排气泵，其安装于该第一排气管路上；以及

一第一控制阀，其安装于该第一排气管路上，介于该内部腔室与该排气泵之间；

其中该第三排气管路在介于该第一控制阀与该排气泵之间的一区段中连接至该第一排气管路，且一控制阀安装于该第三排气管路上。

13.如权利要求5所述的基板处理设备，其进一步包含：

一第一排气泵，其安装于该第一排气管路上；以及

一第二排气泵，其安装于该第二排气管路上。

14.一种制程处理构件，其包含：

一内部腔室，其中形成有一第一空间；

一第一外部腔室，其围绕该内部腔室且形成与该第一空间分离的一第二空间；

一基座，其安置于该第一空间中且用来支撑一基板；

一排气管路，其连接至该内部腔室且将该第一空间中的一气体排放至外部；以及

一监测模块，其安置于该第二空间中且用来监测该第一空间的一状态。