[发明专利]制程处理部件、基板处理设备以及基板处理方法

说明书

技术领域

本发明有关于基板处理设备，且更特定言之，有关于包括制程腔室的基板处理设备。

背景技术

用以制造半导体装置、平板显示器面板、太阳能电池或类似者的方法包括用以移除光阻的灰化制程。执行灰化制程是为了移除涂布于基板上的光阻。

用以执行灰化制程的设备揭示于韩国专利注册案第10-0750828号中。将制程气体在激发成电浆状态后，将其供应至制程腔室中。在将制程腔室维持在高于其外部温度的温度且将基板加热至约为摄氏250度的温度时，执行灰化制程。

制程腔室的内部在灰化制程期间受到外部环境影响。制程腔室的内部的温度归因于外部温度而下降。尤其是，邻近于制程腔室的外部的边缘区域经历显着的温度下降。该温度下降使留在制程腔室内部的反应性副产物得以固化，从而在制程腔室的内壁上形成反应性副产物层。该反应性副产物层在后续的基板处理制程中表现为粒子。

发明内容

本发明的一方面提供一种基板处理设备，其可包括：一内部腔室，其中形成有一第一空间；一第一外部腔室，其围绕该内部腔室且形成与该第一空间分离的一第二空间；一基座，其安置于该第一空间中且用来支撑一基板；一第一排气管路(exhaust line)，其连接至该内部腔室且将该第一空间中的气体排放至外部；一制程气体供应构件，其用来向该第一空间供应用以处理该基板的制程气体；以及一监测模块，其安置于该第二空间中且用来监测该第一空间的状态。

在一示范性实施例中，第一外部腔室可提供为复数个。复数个第一外部腔室可安置成沿着内部腔室的圆周彼此隔开。该等第一外部腔室中的每一者可形成第二空间。监测模块可提供给个别第二空间。

在一示范性实施例中，可沿着内部腔室的圆周提供第一外部腔室。第二空间可呈现出围绕第一空间的环形。

在一示范性实施例中，第一外部腔室可包括：一上部板，其有一端连接至内部腔室的侧壁；一下部板，其安置于该上部板下方且具有一端连接至内部腔室的侧壁；以及一侧壁，其面向内部腔室的侧壁且将该上部板的另一端连接至该下部板的另一端。第二空间可由以下各者的组合形成：上部板、下部板、内部腔室的侧壁以及第一外部腔室的侧壁。

在一示范性实施例中，基板处理设备可进一步包括一第二排气管路，其连接至第一外部腔室且将第二空间中的气体排放至外部。

在一示范性实施例中，监测模块可包括：一第一监测传感器，其固定地安装于内部腔室的侧壁上、有一部分曝露于第一空间，且用来量测第一空间的状态变化；一第二监测传感器，其安置于第二空间中且用来量测第二空间的压力变化。

在一示范性实施例中，第一监测传感器可量测第一空间中以下各者中的至少一者：温度变化、压力变化、电场的量值变化及制程气体的密度变化。

在一示范性实施例中，制程气体供应构件可包括一制程气体供应管路，其安置于第二空间中、连接至内部腔室的侧壁，且向第一空间供应制程气体。

在一示范性实施例中，制程气体供应构件可进一步包括一产生器，其安装于制程气体供应管路上且用来将制程气体激发成电浆状态。

在一示范性实施例中，基板处理设备可进一步包括：一第二外部腔室，其在第一外部腔室外部围绕第一外部腔室，且形成与第二空间分离的第三空间；以及一第三排气管路，其连接至该第二外部腔室且将第二空间中的气体排放至外部。

在一示范性实施例中，基板处理设备可进一步包括：一排气泵，其安装于第一排气管路上；以及一第一控制阀，其安装于第一排气管路上，介于内部腔室与排气泵之间。第三排气管路可在介于该控制阀与排气泵之间的区段中连接至第一排气管路，且第二控制阀可安装于第二排气管路上。

在一示范性实施例中，基板处理设备可进一步包括：一第一排气泵，其安装于第一排气管路上；以及一第二排气泵，其安装于第三排气管路上。

本发明的另一方面提供一种制程处理构件，其可包括：一内部腔室，其中形成有一第一空间；一第一外部腔室，其围绕该内部腔室且形成与该第一空间分离的一第二空间；一基座，其安置于该第一空间中且用来支撑一基板；一排气管路，其连接至该内部腔室且将该第一空间中的气体排放至外部；以及一监测模块，其安置于该第二空间中且用来监测该第一空间的状态。

在一示范性实施例中，制程处理构件可进一步包括：一第二外部腔室，其在第一外部腔室外部围绕第一外部腔室，且形成与第二空间分离的第三空间；以及一排气管路，其连接至该第二外部腔室且将第二空间中的气体排放至外部。