[发明专利]布线构造及具备它的薄膜晶体管阵列基板以及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及配设于例如液晶显示装置的显示面板等的、包含透明导电膜的布线的布线构造。

背景技术

近年来，作为能够兼顾广视角和高透射率这些特征的液晶模式，采用FFS（Fringe Field Switching，边缘场切换）模式的液晶显示装置快速扩大。例如下述专利文献1所示的那样，FFS模式的TFT阵列基板包含隔着绝缘膜重叠两层透明导电膜的构造。相对于此，具有一般的TN（Twisted Nematic，扭曲向列）模式的TFT阵列基板的透明导电膜为一层。因此，与一般的TN模式的TFT阵列基板的制造相比较，FFS模式的TFT阵列基板的制造所需要的照相制版工序数至少会增加一个工序。

作为对该工序数增加的对策，例如在下述的专利文献2中，公开了通过对设在FFS模式的TFT阵列基板的透明导电膜图案的配置下功夫，从而减少需要的照相制版工序数的技术。专利文献2所公开的FFS模式的TFT阵列基板的结构能采用与一般的TN模式的TFT阵列基板的制造相同数量的照相制版工序形成。

专利文献1：日本特许第3826217号公报

专利文献2：日本特愿2010－191410号公报。

发明内容

如上所述，FFS模式的TFT阵列基板具备隔着绝缘膜重叠两层透明导电膜的构造。在该情况下，产生于下层的透明导电膜的应力与产生于其上层的绝缘膜的应力没有取得平衡，有时在透明导电膜的端部等处发生被称为上层绝缘膜剥离的“膜脱离”或“膜剥落”的现象（以下总称为“膜脱离”）。

该膜脱离的发生频度也与透明导电膜的图案密度及形状有关，在TFT阵列基板中的相对显示区域靠外侧的边框区域等、透明导电膜的图案密度比较稀疏的区域中，例如在外部连接端子部、布线转换部等处发生频度高。本发明人确认了绝缘膜在透明导电膜上发生膜脱离的情况特别容易在以与下层的绝缘膜直接相接的方式配置的透明导电膜的图案的拐角部发生。在发生绝缘膜的膜脱离的部分，失去了作为绝缘膜的保护膜的功能，所以膜脱离成为引起电极的耐腐蚀性下降、绝缘破坏发生等TFT阵列基板的制造中的成品率的下降及TFT阵列基板的可靠性下降的因素。因此，为了获得成品率及可靠性高的TFT阵列基板，对绝缘膜的膜脱离的对策是有效的。

在专利文献2中，为了使FFS模式的TFT阵列基板的照相制版工序数成为与一般的TN模式的TFT阵列基板相同数量，采用了不隔着绝缘膜而在成为源极布线的金属膜图案上配置透明导电膜的结构。在该结构中，担心TFT阵列基板上的透明导电膜图案的面积大、绝缘膜的膜脱离的发生频度高，所以膜脱离的对策尤为重要。

另外，在专利文献2的TFT阵列基板中，需要金属膜和透明导电膜作为电性相同的电极或布线起作用，所以金属膜和透明导电膜的电连接性是重要的。例如，在ITO（Indium Tin Oxide：氧化铟锡）等透明电极和铝（Al）之间不能够容易地获得良好的电连接性，所以最上层需要在Al类金属的层叠膜上配设ITO的透明导电膜的情况下就会出问题。本发明人确认了在使用具有在Al上配置ITO的布线构造的TFT阵列基板的液晶显示装置中，连接TFT阵列基板的不同层的布线彼此的布线转换部的电阻上升、引起线缺陷等显示异常。

另一方面，Al类薄膜的电阻值低，所以随着液晶显示装置的高分辨率化及大屏幕化，对TFT阵列基板的信号布线的Al类薄膜的适用扩大。由此，在FFS模式的TFT阵列基板的开发中，提高透明导电膜和金属膜、特别是和在上表面具有Al类薄膜的层叠膜之间的电连接性成为重要课题。

本发明是为了解决以上那种课题而作出的，其目的在于，提供能够抑制透明导电膜上的绝缘膜的膜脱离的发生、并且获得透明导电膜和金属膜的良好的电连接性的布线构造及具备它的TFT阵列基板以及液晶显示装置。

本发明的第1方面所涉及的布线构造具备：第1绝缘膜、形成于所述第1绝缘膜上的第1导电膜、以及形成于所述第1导电膜上的第1透明导电膜，所述第1透明导电膜覆盖所述第1导电膜的端面的至少一部分，在所述第1透明导电膜和所述第1绝缘膜相接的区域中，所述第1透明导电膜的拐角部所成的角为比90度大比270度小的角度。

本发明的第2方面所涉及的布线构造具备：第1绝缘膜、形成于所述第1绝缘膜上的第1导电膜、以及形成于所述第1导电膜上的第1透明导电膜，所述第1透明导电膜覆盖所述第1导电膜的端面的至少一部分，在所述第1透明导电膜和所述第1绝缘膜相接的区域中，所述第1透明导电膜的至少拐角部为圆弧状。