[发明专利]硅片表面处理装置

权利要求书

1.一种硅片表面处理装置，包括：用于向所述硅片表面喷射处理液以从所述硅片上去除硅层的处理液喷射单元，及用于向所述硅片表面喷射干燥气体以从所述硅片上去除所述处理液的气体喷射单元，其特征在于，所述处理液喷射单元与所述气体喷射单元之间的距离可调。

2.权利要求1所述的硅片表面处理装置，其特征在于，还包括滑轨及用于容纳所述处理液的处理液容器；所述滑轨固设在所述处理液容器上方；

所述处理液喷射单元设置在所述滑轨上，以使所述处理液喷射单元沿着平行于所述硅片运行方向的方向上位置可调；

所述气体喷射单元在所述硅片运行方向上位于所述处理液喷射单元的下游，且位置固定。

3.根据权利要求2所述的硅片表面处理装置，其特征在于，所述滑轨的条数为两条，相互平行设置，所述处理液喷射单元设置在所述两条滑轨之间。

4.权利要求1所述的硅片表面处理装置，其特征在于，还包括滑轨及用于容纳所述处理液的处理液容器；所述滑轨固设在所述处理液容器上方；

所述气体喷射单元设置在所述滑轨上，以使所述气体喷射单元沿着平行于所述硅片运行方向的方向上位置可调；

所述处理液喷射单元在所述硅片运行方向上位于所述气体喷射单元的上游，且位置固定。

5.根据权利要求4所述的硅片表面处理装置，其特征在于，所述滑轨的条数为两条，相互平行设置，所述气体喷射单元设置在所述两条滑轨之间。

6.权利要求1所述的硅片表面处理装置，其特征在于，还包括滑轨及用于容纳所述处理液的处理液容器；所述滑轨固设在所述处理液容器上方；

所述气体喷射单元及所述处理液喷射单元设置在所述滑轨上，以使所述气体喷射单元及所述处理液喷射单元沿着平行于所述硅片运行方向的方向上位置均可调；且所述处理液喷射单元在所述硅片运行方向上位于所述气体喷射单元的上游。

7.根据权利要求6所述的硅片表面处理装置，其特征在于，所述滑轨的条数为两条，相互平行设置，所述处理液喷射单元及所述气体喷射单元均设置在所述两条滑轨之间。

8.根据权利要求2-7任一项所述的硅片表面处理装置，其特征在于，所述滑轨固设在所述处理液容器的侧壁顶部。

9.根据权利要求2-7任一项所述的硅片表面处理装置，其特征在于，所述滑轨上设有多个预留孔，所述多个预留孔沿着平行于所述硅片运行方向的方向上间隔分布；且所述预留孔用于穿设紧固单元；

当所述处理液喷射单元设置在所述滑轨上时，所述紧固单元用于将所述处理液喷射单元固定在所述预留孔所在的位置处；

当所述气体喷射单元设置在所述滑轨上时，所述紧固单元用于将所述气体喷射单元固定在所述预留孔所在的位置处。

10.根据权利要求9所述的硅片表面处理装置，其特征在于，所述预留孔中设有内螺纹，所述紧固单元为螺栓，所述螺栓具有与所述内螺纹配合的外螺纹。

11.根据权利要求1-7任一项所述的硅片表面处理装置，其特征在于，还包括导液管，所述处理液喷射单元内部设有空腔，外部设有与所述空腔连通的多个喷孔；所述导液管在所述处理液喷射单元的一端与所述空腔连通，以向所述空腔内供给所述处理液，并使所述处理液从所述喷孔中喷出。

12.根据权利要求11所述的硅片表面处理装置，其特征在于，还包括处理液供给单元，用于供给所述处理液，所述处理液供给单元与所述导液管连通。

13.根据权利要求1-7任一项所述的硅片表面处理装置，其特征在于，所述处理液为氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液。