[发明专利]硅片表面处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池制造，尤其涉及硅片表面处理装置。

背景技术

常规的制造晶体硅太阳能电池片的工序包括：制绒、扩散、清洗刻蚀、PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积)、丝网印刷。在扩散工艺中，待处理的硅片表面会产生一层磷硅玻璃，并且在硅片边缘也形成一层PN结，磷硅玻璃和边缘的PN结会在硅片做成电池片后导通电池片的上下两极而漏电，清洗刻蚀工序的主要目的就是去除磷硅玻璃和边缘的PN结。

清洗刻蚀工序中使用酸液去除硅片上的磷硅玻璃和边缘的PN，但经过酸液处理过的硅片表面上残留有多孔硅和少量酸液，为了去除残留有多孔硅和少量酸液，通常会将硅片送至碱洗装置进行表面处理，该装置主要包括碱洗槽、碱刀及风刀。

硅片从碱洗槽前部进入碱洗槽上方，碱洗槽上方设置有碱刀，用于向硅片表面喷淋碱液，碱液与硅片表面上残留的多孔硅反应以去除多孔硅，并中和酸液。经过碱液处理过的硅片需经由碱洗槽后部送至下一个工位进行表面处理，碱洗槽后部设有风刀，用于向硅片表面喷射干燥气体，以去除硅片表面残留的碱液，保证硅片在下一个工位进行表面处理前保持干燥。

硅片表面附着的碱液，会腐蚀掉硅片表面的硅，使得硅片的厚度减小，会使得硅片的方块电阻上升。为了清楚地说明硅片厚度与方块电阻的关系，这里借助图1对方块电阻的含义进行说明。方块电阻简称为方阻，定义如下。

图1示出了一块长为l、宽为a、厚为t的薄层。如果该薄层材料的电阻率为ρ，则该整个薄层的电阻为：当1＝a(即为一个方块)时，R＝ρ/t。可见，(ρ/t)代表一个方块的电阻，故称为方块电阻，特记为R□＝ρ/t(Ω/□)。容易看出，方块电阻与的薄层的厚度t成反比。

由上述内容可知，对于太阳能电池片而言，其方块电阻与硅片厚度成反比。硅片越薄，方阻越大。当方阻太大，超出一定的范围时，将影响太阳能电池片的金属化，硅片与金属电极不能形成良好的欧姆接触，从而降低电池片的效率。但是方阻太小，硅片表面掺杂过多，会造成表面复合增大，降低电池片的短路电流，也会影响效率。所以，要使得太阳能电池片获得一个较高的效率，需要将电池片的方阻控制在一定范围内，不宜过高，也不宜过低。

在使用上述碱洗槽对硅片进行表面处理的过程中，由于碱刀和风刀位置固定，使得碱刀和风刀之间的距离固定，且由于硅片的传送速度固定，因此从硅片接触碱液至碱液离开硅片的时间固定，从而使得硅片厚度的减小量固定，进而使得硅片的方块电阻上升一个固定量。但对于不同规格的太阳能电池片，方块电阻上升量的大小要求是不一样的，现有的方块电阻上升量固定不可调，容易产生方阻过高或过低的问题，因此会影响太阳能电池片的效率。

发明内容

本发明的实施例提供一种硅片表面处理装置，解决了使用现有碱洗槽对硅片进行表面处理时由于碱刀和风刀之间的距离固定导致方块电阻上升量不可调，从而使得太阳能电池片的效率受影响的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种硅片表面处理装置，包括：用于向所述硅片表面喷射处理液以从所述硅片上去除硅层的处理液喷射单元，及用于向所述硅片表面喷射干燥气体以从所述硅片上去除所述处理液的气体喷射单元，其中，所述处理液喷射单元与所述气体喷射单元之间的距离可调。

可选地，所述硅片表面处理装置，还包括滑轨及用于容纳所述处理液的处理液容器；所述滑轨固设在所述处理液容器上方；所述处理液喷射单元设置在所述滑轨上，以使所述处理液喷射单元沿着平行于所述硅片运行方向的方向上位置可调；所述气体喷射单元在所述硅片运行方向上位于所述处理液喷射单元的下游，且位置固定。

优选地，所述滑轨的条数为两条，相互平行设置，所述处理液喷射单元设置在所述两条滑轨之间。

可选地，所述硅片表面处理装置还包括滑轨及用于容纳所述处理液的处理液容器；所述滑轨固设在所述处理液容器上方；所述气体喷射单元设置在所述滑轨上，以使所述气体喷射单元沿着平行于所述硅片运行方向的方向上位置可调；所述处理液喷射单元在所述硅片运行方向上位于所述气体喷射单元的上游，且位置固定。

优选地，所述滑轨的条数为两条，相互平行设置，所述气体喷射单元设置在所述两条滑轨之间。