[发明专利]高亮度GaN基绿光LED的MQW结构无效
| 申请号： | 201310079635.0 | 申请日： | 2013-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN103178173A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 李盼盼;李鸿渐;李志聪;孙一军;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 亮度 gan 基绿光 led mqw 结构 | ||
【权利要求书】：
1.高亮度GaN基绿光LED的MQW结构，包括生长在衬底上的GaN成核层、非掺杂GaN层、高温n型GaN层、InyGaN1-y/ GaN多量子阱层和p型GaN层，其特征在于在高温n型GaN层与InyGaN1-y/ GaN多量子阱层之间生长缓冲层，所述缓冲层由低温n型GaN层、InxGa1-xN /n型GaN超晶格结构层和低温n型GaN层组成，所述低温n型GaN层生长在高温n型GaN层上，InxGa1-xN /n型GaN超晶格结构层生长在低温n型GaN层上，低温n型GaN层生长在InxGa1-xN /n型GaN超晶格结构层上。
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