[发明专利]一种MOS晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步骤：

1)形成MOS晶体管的中间结构，至少包括：半导体衬底、两侧具有第一侧墙以及第二侧墙的栅极结构、位于所述第二侧墙外的半导体衬底中的凹槽结构、填充于所述凹槽结构内并具有凸起结构的填充层、形成于填充层中的源区及漏区、以及与源区及漏区相连的浅掺杂源及浅掺杂漏,先形成具有第一侧墙以及第二侧墙的栅极结构，后形成浅掺杂源及浅掺杂漏，最后形成源区及漏区；

2)去除所述第二侧墙；

3)采用各向同性离子掺杂工艺对所述凸起结构的表面及所述浅掺杂源及浅掺杂漏进行均匀掺杂，所述的各向同性离子掺杂工艺为激光诱导原子层掺杂工艺，包括步骤：a)于所述源区、漏区、浅掺杂源及浅掺杂漏表面形成预设离子浓度的外延层；b)通过激光诱导工艺使所述掺杂层中的离子扩散至所述凸起结构、浅掺杂源及浅掺杂漏中以形成掺杂层。

2.根据权利要求1所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于：步骤3)中的离子掺杂浓度为1E18～1E21atom/cm³，掺杂深度为5～25nm。

3.根据权利要求1所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于：所述MOS晶体管为PMOS晶体管，所述填充层为SiGe填充层，步骤3)所采用的掺杂离子为硼离子。

4.根据权利要求3所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于：所述掺杂层为具有压缩应力的掺杂层。

5.根据权利要求1所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于：所述MOS晶体管为NMOS晶体管，所述填充层为SiC填充层，步骤3)所采用的掺杂离子为磷离子或砷离子。

6.根据权利要求5所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于：所述掺杂层为具有拉伸应力的掺杂层。

7.根据权利要求1所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于：步骤3)后还包括于MOS晶体管表面形成覆盖所述栅极结构的绝缘层，并对所述绝缘层进行抛光直至露出所述栅极结构的步骤。

8.根据权利要求1所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于：所述第二侧墙为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的一种或一种以上的组合。