[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

在所述半导体衬底上方形成的第一栅电极；以及

在所述第一栅电极和所述半导体衬底之间形成的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜在其中包括电荷存储部，

其中，所述第一绝缘膜包括第一氧化硅膜、在所述第一氧化硅膜上方的氮化硅膜以及在所述氮化硅膜上方的第二氧化硅膜，并且

其中，金属元素以1×10¹³至2×10¹⁴原子/cm²的表面密度存在于所述氮化硅膜和所述第二氧化膜之间或所述氮化硅膜中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，由所述金属元素构成的多个金属点被形成在所述氮化硅膜和所述第二氧化硅膜之间或所述氮化硅膜中。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述金属点被形成在所述氮化硅膜和所述第二氧化硅膜之间。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述金属元素由钛、镍、钨或钽构成。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述金属元素由钛构成。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，进一步包括：

在所述半导体衬底上方相邻于所述第一栅电极形成的第二栅电极；以及

形成在所述第二栅电极和所述半导体衬底之间的第二绝缘膜，

其中，所述第一绝缘膜被形成在所述第二栅电极和所述半导体衬底之间，以及所述第一栅电极和所述第二栅电极之间。

7.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述金属点被形成在所述氮化硅膜中。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述氮化硅膜包括在所述第一氧化硅膜上方形成的第一氮化硅膜以及在所述第一氮化硅膜上方形成的第二氮化硅膜，并且

其中，所述金属点被形成在所述第一氮化硅膜和所述第二氮化硅膜之间。

9.一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上方彼此相邻形成的第一栅电极和第二栅电极；在所述半导体衬底和所述第一栅电极之间形成的且在其中具有电荷存储部的第一栅极绝缘膜；以及在所述半导体衬底和所述第二栅电极之间形成的第二栅极绝缘膜，

所述制造方法包括以下步骤：

（a）提供半导体衬底；

（b）在所述半导体衬底的主表面上方形成用于所述第二栅极绝缘膜的第二绝缘膜；

（c）在所述第二绝缘膜上方形成用于所述第二栅电极的第二导电膜；

（d）通过图案化所述第二导电膜来形成所述第二栅电极；

（e）在所述半导体衬底的所述主表面以及所述第二栅电极的表面上方形成用于所述第一栅极绝缘膜的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜在其中包括电荷存储部；

（f）在所述第一绝缘膜上方形成用于所述第一栅电极的第一导电膜；以及

（g）通过回蚀所述第一导电膜，在所述第二栅电极的侧壁上方经由所述第一绝缘膜留下所述第一导电膜，来形成所述第一栅电极，

其中，所述第一绝缘膜包括第一氧化硅膜、在所述第一氧化硅膜上方的氮化硅膜以及在所述氮化硅膜上方的第二氧化硅膜，并且

其中，金属元素以1×10¹³至2×10¹⁴原子/cm²的表面密度存在于所述氮化硅膜和所述第二氧化硅膜之间或所述氮化硅膜中。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，步骤（e）包括以下步骤：

（e1）在所述半导体衬底的所述主表面以及所述第二栅电极的表面上方形成所述第一氧化硅膜；

（e2）在所述第一氧化硅膜上方形成所述氮化硅膜；

（e3）在步骤（e2）之后，以1×10¹³至2×10¹⁴原子/cm²的表面密度在所述氮化硅膜上方沉积所述金属元素；以及

（e4）在步骤（e3）之后，在所述氮化硅膜上方形成所述第二氧化硅膜。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其中，在步骤（e3）中，通过溅射方法或ALD方法沉积所述金属元素。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其中，在步骤（e3）中，通过溅射沉积所述金属元素。