[发明专利]一种半导体封装结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201310080595.1 | 申请日： | 2013-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104051323B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 杨志刚;陈林林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/60;H01L23/532;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体封装结构的制备方法，其特征在于，
在半导体衬底上形成金属互连层；
在金属互连层上形成金属屏蔽层，所述金属屏蔽层为多层叠加结构，多层叠加结构中的各层由下至上热膨胀系数递减，且退火工序中，金属互连层以及多层叠加结构中的各层由下至上，热胀冷缩的体积变化依次递减；
在所述金属屏蔽层上形成焊盘层。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述多层叠加结构为双层叠加结构或三层叠加结构。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，当金属屏蔽层为双层叠加结构时，形成步骤包括：
在所述金属互连层上形成Ti层；
在所述Ti层上形成TaN层。
4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，当金属屏蔽层为三层叠加结构时，形成步骤包括：
在所述金属互连层上形成Ti层；
在所述Ti层上形成TiN层；
在所述TiN层上形成TaN层。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成金属屏蔽层的方法为物理气相沉积法。
6.如权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，所述TaN层的厚度为100埃至800埃。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成金属屏蔽层之前，还包括：
在所述金属互连层上方沉积钝化层；
在钝化层上形成开口露出所述金属互连层。
8.一种半导体封装结构，包括：
位于半导体衬底上的金属互连层；位于所述金属互连层上的金属屏蔽层；位于所述金属屏蔽层上的焊盘层；
其特征在于，所述金属屏蔽层为多层叠加结构，所述多层叠加结构中的各层由下至上热膨胀系数递减，且退火工序中，金属互连层以及多层叠加结构中的各层由下至上，热胀冷缩的体积变化依次递减。
9.如权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述多层叠加结构为双层叠加结构或是三层叠加结构。
10.如权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，当所述多层叠加结构为双层叠加结构时，所述金属屏蔽层包括：Ti层和位于所述Ti层上的TaN层。
11.如权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，当所述多层叠加结构为三层叠加结构时，所述金属屏蔽层包括：Ti层、位于所述Ti层上的TiN层和位于所述TiN层上的TaN层。
12.如权利要求10或11所述的半导体封装结构，其特征在于，所述TaN层的厚度为100～800埃。
13.如权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：在所述金属互连层上沉积有钝化层，所述金属屏蔽层和焊盘层位于所述钝化层中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
