[发明专利]一种制备掺铈的焦硅酸镥闪烁薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备掺铈的焦硅酸镥闪烁薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：

a)对单晶硅片进行表面清洁和去氧化层预处理；

b)采用化学刻蚀方法在经步骤a)预处理后的单晶硅片表面刻蚀出多孔；

c)将步骤b)获得的表面刻蚀有多孔的单晶硅片置入Ce_xLu_1-x(NO₃)₃乙酸溶液中，在25～60℃下浸渍8～12小时后，干燥备用；其中，Ce_xLu_1-x(NO₃)₃中的x=0.001～0.040；

d)将步骤c)得到的单晶硅片在惰性气氛中、于1000～1200℃下进行热处理2～4小时。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤a)所述的预处理包括如下操作：将单晶硅片切成所需尺寸后，在室温下依次经过丙酮、酒精、去离子水超声清洗单晶硅片表面，然后吹干、浸泡在氢氟酸水溶液中以除去单晶硅片表面的氧化层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述的氢氟酸水溶液的质量浓度为5～10wt%。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤b)包括如下操作：将经步骤a)预处理后的单晶硅片置入由氢氟酸和硝酸银组成的混合水溶液A中进行刻蚀30～180秒，在用去离子水、酒精洗涤后再置入由氢氟酸和过氧化氢组成的混合水溶液B中、于25～50℃下进行刻蚀30～60分钟，在用去离子水、酒精洗涤后再置入硝酸水溶液中进行浸泡1～1.5小时。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：在所述的混合水溶液A中，氟化氢的摩尔浓度为4.6～4.8mol/L，硝酸银的摩尔浓度为0.005～0.01mol/L。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：在所述的混合水溶液B中，氟化氢的摩尔浓度为4.6～4.8mol/L，过氧化氢的摩尔浓度为0.2～0.6mol/L。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述的硝酸水溶液的摩尔浓度为3.5～7.0mol/L。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的Ce_xLu_1-x(NO₃)₃乙酸溶液的摩尔浓度为0.05～0.4mol/L。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤c)中所述的干燥是指在室温空气中自然干燥。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤d)中所述的惰性气氛为氩气气氛。