[发明专利]形成金属垫的方法有效
| 申请号： | 201310082001.0 | 申请日： | 2013-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103219254A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 阚欢;魏芳;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 金属 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种形成金属垫的方法，其特征在于，包括：
根据工艺需求，制备一具有金属垫图形的版图；
于所述金属垫图形中插入设定图形；
输出金属垫版图。
2.根据权利要求1所述的形成金属垫的方法，其特征在于，所述金属垫版图中包括有穿孔图形；
输出所述金属垫版图后，去除无用的所述穿孔图形，并根据去除过无用的穿孔图形后的金属垫版图制备金属垫。
3.根据权利要求2所述的形成金属垫的方法，其特征在于，无用的所述穿孔图形为不与所述金属垫图形有电路连接关系的穿孔图形。
4.根据权利要求1所述的形成金属垫的方法，其特征在于，所述金属垫图形还包括各层的实心金属块图形。
5.根据权利要求1所述的形成金属垫的方法，其特征在于，所述设定图形为一个或多个矩形或多边形。
6.根据权利要求1所述的形成金属垫的方法，其特征在于，所述设定图形的面积小于所述金属垫图形的面积的80％。
7.根据权利要求1所述的形成金属垫的方法，其特征在于，于所述金属垫图形中插入设定图形前，先根据工艺需求对金属垫图形进行筛选；
当所述金属垫图形符合工艺需求时，才于筛选出的金属垫图形中插入设定图形。
8.根据权利要求1所述的形成金属垫的方法，其特征在于，所述版图上包括一个或多个金属垫图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
