[发明专利]形成金属垫的方法有效
申请号: | 201310082001.0 | 申请日: | 2013-03-14 |
公开(公告)号: | CN103219254A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 阚欢;魏芳;张旭升 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/768 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 金属 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种形成金属垫的方法。
背景技术
目前,在集成电路制造工艺中,通常采用金属垫提供外部电路与集成电路内部的电路连接,即外部电路通过制备的金属垫和形成在介电层中的金属栓连接,以与集成电路内部的电路形成电连接。
由于传统工艺中制备的金属垫结构易受到机械或热应力的影响,进而导致在导电线(外部电路)与金属垫之间的界面和金属垫与相邻层间的电介质之间的材料界面上均会产生分离或开裂现象,造成在进行制造工艺过程中产生如凹陷等缺陷,严重影响器件的性能,降低了产品的良率。
中国专利(公开号:CN101335225A)公开了一种金属垫片形成方法及金属垫片结构,通过将较宽的第一垫片金属与第一金属同时形成后,于第一垫片金属及第一金属上形成介电层,再在介电层中形成第一开口以及第二开口以分别露出第一金属以及第一垫片金属,最后形成覆盖第一垫片金属的第二垫片金属,进而产生金属垫片,以避免保护层裂痕以及金属桥接问题。采用该技术文献制备的金属垫片同样存在着导电线与金属垫之间的界面和金属垫与相邻层间的电介质之间的材料界面上产生分离或开裂现象的隐患。
中国专利(公开号:CN101014789A)公开了一种金属垫片的制作方法,通过采用具有低温时效硬化特性的金属板进行的金属垫片制备,且在进行制备工艺中在低于上述低温时效硬化温度的条件下,将低涂料于金属板上干燥,并对金属板上的环形凸筋进行冲压加工;最后,在基板的金属板的低温时效硬化温度下,煅烧低涂料的同时,将金属板时效硬化,使得制造出的金属垫片的环形凸筋即使变形也较难蠕变。采用该技术文献制备的金属垫片同样存在着导电线与金属垫之间的界面和金属垫与相邻层间的电介质之间的材料界面上产生分离或开裂现象的隐患
发明内容
针对上述存在的问题,本发明公开了一种形成金属垫的方法,其中,包括:
根据工艺需求,制备一具有金属垫图形的版图;
于所述金属垫图形中插入设定图形;
输出金属垫版图。
上述的形成金属垫的方法,其中,所述金属垫版图中包括有穿孔图形;
输出所述金属垫版图后,去除无用的所述穿孔图形,并根据去除过无用的穿孔图形后的金属垫版图制备金属垫。
采用所述金属垫版图制备金属垫。
上述的形成金属垫的方法,其中,无用的所述穿孔图形为不与所述金属垫图形有电路连接关系的穿孔图形。
上述的形成金属垫的方法,其中,所述金属垫图形还包括各层的实心金属块图形。
上述的形成金属垫的方法,其中,所述设定图形为一个或多个矩形或多边形。
上述的形成金属垫的方法,其中,所述设定图形的面积小于所述金属垫图形的面积的80%。
上述的形成金属垫的方法,其中,于所述金属垫图形中插入设定图形前,先根据工艺需求对金属垫图形进行筛选;
当所述金属垫图形符合工艺需求时,才于筛选出的金属垫图形中插入设定图形。
上述的形成金属垫的方法,其中,所述版图上包括一个或多个金属垫图形。
综上所述,本发明一种形成金属垫的方法,通过在具有金属垫图形的版图设计完成后,在该版图的金属垫图形中插入设定图形,并进行逻辑运算,以最终产生带设定图形结构的金属垫,从而能在金属垫受到机械或热应力时,有效避免在导电线与金属垫之间的界面和金属垫与相邻层间的电介质之间的材料界面上产生的分离或开裂现象,大大减少在进行制造工艺过程中产生如凹陷等缺陷,提高了器件的性能,增大了产品的良率。
附图说明
图1为实施例中形成金属垫的方法的流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明:
图1为实施例中形成金属垫的方法的流程示意图;如图1-4所示,一种形成金属垫的方法,主要应用于如Logic、Memory、RF、HV、Analog/Power等平台上,首先,根据工艺需求,制备具有一个或多个金属垫图形的版图,且该版图多个穿孔图形;其中,该金属垫图形包括各层的实心金属块图形和多个穿孔图形
其次,继续根据工艺设计的需求(如金属垫图形面积、大小等),对金属垫图形进行筛选,且在被筛选出的金属垫图形中插入设定图形如一个或多个矩形或多边形等,如在一种典型的槽形金属垫结构中,通过在60um×60um的实心金属垫中挖除200个1um×3um矩形结构图形的金属,形成200个1um×3um矩形沟槽,且该200个矩形沟槽均匀分布在上述的实心金属垫中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造