[发明专利]显示设备无效
申请号: | 201310082176.1 | 申请日: | 2013-03-14 |
公开(公告)号: | CN103681689A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 齐藤信美;上田知正;米原健矢;山口一;三浦健太郎;中野慎太郎;坂野龙则 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.一种显示设备,包括:
第一绝缘层;
设置在所述第一绝缘层上的第二绝缘层;
设置在所述第二绝缘层上的像素电极,所述像素电极是透光的;
设置在所述像素电极上的发光层;
设置在所述发光层上的相对电极;和
设置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的像素电路,所述像素电路包括被提供有驱动电流的互连,所述像素电路连接至像素电极且被配置为向所述像素电极提供驱动电流,
当被投影到平行于所述第一绝缘层的平面上时,所述互连具有覆盖所述像素电极的第一区,所述互连在所述第一区内具有开口。
2.如权利要求1所述的设备,其特征在于,
所述像素电路包括开关元件,所述开关元件连接至所述像素电极并被配置为控制被提供至所述像素电极的驱动电流。
3.如权利要求2所述的设备,其特征在于,
所述开关元件包括被设置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的第一晶体管,并且
所述第一晶体管包括
连接至所述像素电极的第一导电部分,
连接至所述互连并且与所述第一导电部分分离的第二导电部分,
连接至所述第一导电部分和所述第二导电部分的第一半导体膜,
设置在与所述第一半导体膜相对的位置处的第一栅电极,和
设置在所述第一半导体膜和所述第一栅电极之间的第一栅绝缘膜。
4.如权利要求3所述的设备,其特征在于,
所述第一晶体管是底栅型,
所述第一栅电极被设置在所述第二绝缘层上,
所述第一栅绝缘膜被设置在所述第一栅电极上,
所述第一半导体膜被设置在所述第一栅绝缘膜上,且
所述第一导电部分的至少一部分和所述第二导电部分的至少一部分被设置在所述第一半导体膜上。
5.如权利要求3所述的设备,其特征在于,所述互连被设置在与被设置有所述第一导电部分的层相同的层内。
6.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述互连连接至电源电压。
7.如权利要求3所述的设备,其特征在于,
所述开关元件还包括连接至所述第一晶体管的第二晶体管,
所述第二晶体管包括
连接至所述第一栅电极的第三导电部分,
与所述第三导电部分分离的第四导电部分,和
连接至所述第三导电部分和所述第四导电部分的第二半导体膜,
设置在与所述第三半导体膜相对的位置处的第二栅电极;和
设置在所述第二半导体膜和所述第二栅电极之间的第二栅绝缘膜。
8.如权利要求7所述的设备,其特征在于,还包括:
连接至所述第二栅电极的控制线;和
连接至所述第四导电部分的信号线,
所述互连和所述信号线在平行于所述第一绝缘层的第一方向中延伸,
所述控制线在平行于所述第一绝缘层且垂直于所述第一方向的第二方向中延伸。
9.如权利要求2所述的设备,其特征在于,
所述开关元件包括
设置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的第一晶体管,和
设置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的第二晶体管,所述第二晶体管连接至所述第一晶体管,
所述第一晶体管包括
连接至所述像素电极的第一导电部分,
与所述第一导电部分分离的第二导电部分,
连接至所述第一导电部分和所述第二导电部分的第一半导体膜
设置在与所述第一半导体膜相对的位置处的第一栅电极,和
设置在所述第一半导体膜和所述第一栅电极之间的第一栅绝缘膜,且
所述第二晶体管包括
连接至所述第一栅电极的第三导电部分,
与所述第三导电部分分离的第四导电部分,
连接至所述第三导电部分和所述第四导电部分的第二半导体膜,
设置在与所述第二半导体膜相对的位置处的第二栅电极,所述第二栅电极连接至所述互连,且
设置在所述第二半导体膜和所述第二栅电极之间的第二栅绝缘膜。
10.如权利要求9所述的设备,其特征在于,所述互连被设置在与被设置有所述第二栅电极的层相同的层内。
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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