[发明专利]显示设备无效
申请号: | 201310082176.1 | 申请日: | 2013-03-14 |
公开(公告)号: | CN103681689A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 齐藤信美;上田知正;米原健矢;山口一;三浦健太郎;中野慎太郎;坂野龙则 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
相关申请的交叉引用
本申请基于2012年9月19日提交的在先日本专利申请No.2012-206091并要求其优先权的权益;该申请的全部内容通过引用结合于此。
技术领域
本文描述的实施例总的来说涉及显示设备。
背景技术
用于驱动显示设备的像素的方法包括使用诸如薄膜晶体管等的有源矩阵方法。例如,在使用有机EL(电致发光)元件的显示设备中,通过开关元件来控制有机EL元件内流动的电流。期望的是增加这样的显示设备的光提取效率。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的显示设备的一部分的示意性平面图;
图2A和2B是示出根据第一实施例的显示设备的配置的示意剖视图;
图3是示出根据第一实施例的显示设备的电路图;
图4A到图4C是第一实施例的显示设备和参考示例的显示设备的截面图;
图5示出第一实施例和参考示例的显示设备的特性;
图6是示出根据第二实施例的显示设备的一部分的示意性平面图;
图7是示出根据第二实施例的显示设备的示意剖视图;
图8是示出根据第三实施例的显示设备的示意剖视图。
详细说明
根据一个实施例,显示设备,包括第一绝缘层、第二绝缘层、像素电极、发光层、相对电极、和像素电路。在该第一绝缘层上设置该第二绝缘层。在该第二绝缘层上设置该像素电极。该像素电极是透光的。该发光层设置在该像素电极上。相对电极设置在发光层上。像素电路设置在该第一绝缘层和该第二绝缘层之间。像素电路包括被提供有驱动电流的互连。该像素电路被配置为向像素电极提供驱动电流。像素电路连接至像素电极。当被投影到与第一绝缘层平行的平面上时,该互连具有覆盖该像素电极的第一区。该互连具有设置在该第一区内的开口。
在下文中将参考附图来描述各个实施例。
这些附图是示意性的或概念性的;并且各部分的厚度和长度之间、各部分之间的尺寸比例之间的关系系数等不一定与其实际值相同。此外,尺寸和/或比例系数在附图之间甚至对于相同部分也可不同地示出。
在本申请的附图和说明书中,与关于上文中的附图所描述的那些组件类似的组件被标示为类似的附图标记,并且酌情省略详细描述。
第一实施例
图1是示出根据第一实施例的显示设备的一部分的配置的示意性平面图。
图2A和2B是示出根据第一实施例的显示设备的配置的示意剖视图。图2A是沿图1的线A-A’的截面图;且图2B是沿图1的线B-B’的截面图。
图3是示出根据第一实施例的显示设备的配置的电路图。
如图2A和2B中所示,根据该实施例的显示设备110包括透光衬底10(第一绝缘层)、设置在该衬底10的第一主表面10a上的第一栅电极33a、设置在该第一栅电极33a上的第一栅绝缘膜34a、设置在该第一栅绝缘膜34a上的第一半导体膜35a、设置在该第一半导体膜35a上的保护膜36、以及设置在至少从保护膜暴露出来的第一半导体膜35a上的第一导电部分31a和第二导电部分32a。
该第一半导体膜35a经由第一栅绝缘膜34a相对该第一栅电极33a。该第一导电部分31a经由保护膜36相对该第二导电部分32a。
这个显示设备110进一步包括设置在该第一导电部分31a、第二导电部分32a、和第一栅绝缘膜34a上并具有开口40a的透光绝缘膜40(第二绝缘层)、设置在该绝缘膜40上并连接至从设置于该绝缘膜40上的开口40a暴露出来的第一导电部分31a的像素电极16、设置在绝缘膜40上的平坦化膜42、设置在该平坦化膜42上的发光层18、相对电极20、和密封膜50。
也在第一栅绝缘膜34a上形成互连60。互连60被覆盖有绝缘膜40。第一导电部分31a、第一栅绝缘膜34a、第一半导体膜35a、保护膜36、第一导电部分31a和第二导电部分32a构成用作薄膜晶体管的第一晶体管12a。例如,该第一晶体管12a是所谓底栅型薄膜晶体管。
第一半导体膜35a具有连接至第一导电部分31a的第一部分351、连接至第二导电部分32a的第二部分352、和设置在该第一部分351和第二部分352之间的第三部分353。例如,第一导电部分31a是源电极且第二导电部分32a是漏电极。例如,该第一部分351是第一半导体膜35a的源区,且第二部分352是第一半导体膜35a的漏区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的