[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一开关元件，所述第一开关元件包括第一控制端子、第一电极端子以及第一导体端子；

第二开关元件，所述第二开关元件包括第二控制端子、第二电极端子以及第二导体端子；

第一互连线路，所述第一互连线路包括第一端子间互连线路、第二端子间互连线路、第三端子间互连线路以及第四端子间互连线路，所述第一端子间互连线路包括第一电感，所述第一端子间互连线路的第一端与所述第一控制端子相连，所述第二端子间互连线路包括第二电感，所述第二电感与所述第一电感不同，所述第二端子间互连线路的第一端与所述第二控制端子相连，所述第二端子间互连线路的第二端与所述第一端子间互连线路的第二端相连，所述第三端子间互连线路包括第三电感，所述第三端子间互连线路的第一端与所述第一电极端子相连，并且所述第四端子间互连线路包括第四电感，所述第四电感与所述第三电感不同，所述第四端子间互连线路的第一端与所述第二电极端子相连，所述第四端子间互连线路的第二端与所述第三端子间互连线路的第二端相连；

第一电阻器，所述第一电阻器的第一端与所述第一控制端子相连；

第二电阻器，所述第二电阻器的第一端与所述第二控制端子相连，所述第二电阻器的第二端与所述第一电阻器的第二端相连；以及

第二互连线路，所述第二互连线路被设置在所述第一电极端子和所述第二电极端子之间和/或在所述第一控制端子和所述第二控制端子之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括第一基板，所述第一开关元件和所述第二开关元件被安装在所述第一基板上，并且

所述第二互连线路包括设置在所述第一基板上的互连线路图案。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二互连线路包括焊线。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：所述第一电阻器被设置在所述第一端子间互连线路的所述第一端和所述第二端之间，并且

所述第二电阻器被设置在所述第二端子间互连线路的所述第一端和所述第二端之间。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：所述第一开关元件是IGBT，并且

所述第二开关元件是IGBT。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：所述第一开关元件包括多个并联连接的IGBT，并且

所述第二开关元件包括多个并联连接的IGBT。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：所述第一开关元件是MOSFET，并且

所述第二开关元件是MOSFET。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：所述第一开关元件包括多个并联连接的MOSFET，并且

所述第二开关元件包括多个并联连接的MOSFET。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：所述第一电阻器是控制所述第一开关元件的开关速度的元件，并且

所述第二电阻器是控制所述第二开关元件的开关速度的元件。

10.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括：

设置在所述第一基板上的第一互连线路图案；

设置在所述第一基板上的第二互连线路图案；以及

设置在所述第一基板上的第三互连线路图案，其中

所述第一互连线路图案与所述第一电极端子和所述第二电极端子相连，

所述第二互连线路图案与所述第一导体端子和所述第二导体端子相连，并且

所述第三互连线路图案与所述第一控制端子和所述第二控制端子相连。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述第一互连线路图案被形成为围绕所述第二互连线路图案的外侧。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述第一互连线路图案沿所述第一基板的外围形成。

13.根据权利要求10所述的半导体装置，还包括：设置在所述第一电极端子和所述第一互连线路图案之间同时还设置在所述第二电极端子和所述第一互连线路图案之间的第一焊线，并且

所述第二互连线路包括所述第一焊线和所述第一互连线路图案。